• Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• Тип корпуса: US6
• Мощность - Макс.: 100mW
• Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 120 @ 1mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
• Граничная частота: 250MHz
• Резистор базы (R1): 4.7kOhms

• Производитель: Nexperia USA Inc.
• Серия: Automotive, AEC-Q101
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• Тип корпуса: 6-TSSOP
• Мощность - Макс.: 350mW
• Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
• Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 100nA
• Граничная частота: 170MHz, 150MHz
• Резистор базы (R1): 4.7kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms

• Производитель: NXP USA Inc.
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Мощность - Макс.: 500mW
• Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
• Обратный ток коллектора: 1µA
• Резистор базы (R1): 2.2kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: SC-89, SOT-490
• Тип корпуса: SC-89-3
• Мощность - Макс.: 200mW
• Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
• Граничная частота: 200MHz
• Резистор базы (R1): 4.7kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Мощность - Макс.: 300mW
• Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
• Усиление по току (hFE): 100 @ 1mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
• Граничная частота: 200MHz
• Резистор базы (R1): 10kOhms

• Производитель: Rohm Semiconductor
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• Тип корпуса: UMT6
• Мощность - Макс.: 150mW
• Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 100 @ 1mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
• Граничная частота: 250MHz
• Резистор базы (R1): 10kOhms

• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: SC-101, SOT-883
• Тип корпуса: PG-TSLP-3-4
• Мощность - Макс.: 250mW
• Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 120 @ 5mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
• Граничная частота: 150MHz
• Резистор базы (R1): 4.7kOhms

• Производитель: Philips
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SMT3; MPAK
• Мощность - Макс.: 250mW
• Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 1µA
• Резистор базы (R1): 10kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms

• Производитель: Comchip Technology
• Серия: DTC114YCA-HF
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3
• Мощность - Макс.: 200mW
• Тип транзистора: NPN - Pre-Biased + Diode
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 68 @ 10mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• Обратный ток коллектора: 500nA
• Граничная частота: 250MHz
• Резистор базы (R1): 10kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: SOT-563, SOT-666
• Тип корпуса: SOT-563
• Мощность - Макс.: 150mW
• Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 35 @ 5mA, 5V / 80 @ 5mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 500nA
• Граничная частота: 250MHz
• Резистор базы (R1): 10kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms, 47kOhms

• Производитель: Nexperia USA Inc.
• Серия: Automotive, AEC-Q101
• Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
• Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
• Тип корпуса: DFN1412D-3
• Мощность - Макс.: 360mW
• Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
• Обратный ток коллектора: 100nA
• Граничная частота: 180MHz
• Резистор базы (R1): 4.7kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms

• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: SC-70, SOT-323
• Тип корпуса: PG-SOT323
• Мощность - Макс.: 250mW
• Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 50 @ 5mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
• Граничная частота: 130MHz
• Резистор базы (R1): 22kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms

• Производитель: Rochester Electronics, LLC
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: SC-75, SOT-416
• Тип корпуса: SC-75, SOT-416
• Мощность - Макс.: 200mW
• Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 500nA
• Резистор базы (R1): 100kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 100kOhms

• Производитель: Panasonic Electronic Components
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: SC-85
• Тип корпуса: SMini3-F2
• Мощность - Макс.: 150mW
• Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 20 @ 5mA, 10V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 500nA
• Граничная частота: 150MHz
• Резистор базы (R1): 510Ohms
• Резистор эмиттер-база (R2): 5.1kOhms

• Производитель: Rohm Semiconductor
• Серия: DTC143X
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: SC-89, SOT-490
• Тип корпуса: EMT3F (SOT-416FL)
• Мощность - Макс.: 150mW
• Тип транзистора: NPN - Pre-Biased + Diode
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 30 @ 10mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 500nA
• Граничная частота: 250MHz
• Резистор базы (R1): 4.7kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms