• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
• Package / Case: TO-200AB, A-PUK
• Тип корпуса: TO-200AB, A-PUK
• Напряжение в закрытом состоянии: 800V
• Current - On State (It (AV)) (Max): 370A
• Ток в открытом сост. (Макс): 690A
• Напряжение открытия (Vgt) (макс): 3V
• Отпирающий ток: 200mA
• Ударный ток: 4900A, 5130A
• Ток удержания: 600mA
• Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.8V
• Current - Off State (Max): 40mA
• SCR Type: Standard Recovery

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
• Package / Case: TO-200AB, E-PUK
• Тип корпуса: TO-200AB (E-Puk)
• Напряжение в закрытом состоянии: 800V
• Current - On State (It (AV)) (Max): 720A
• Ток в открытом сост. (Макс): 1435A
• Напряжение открытия (Vgt) (макс): 3V
• Отпирающий ток: 200mA
• Ударный ток: 11000A, 11500A
• Ток удержания: 600mA
• Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.96V
• Current - Off State (Max): 50mA
• SCR Type: Standard Recovery

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
• Package / Case: TO-209AC, TO-94-4, Stud
• Тип корпуса: TO-209AC (TO-94)
• Напряжение в закрытом состоянии: 800V
• Current - On State (It (AV)) (Max): 105A
• Ток в открытом сост. (Макс): 165A
• Напряжение открытия (Vgt) (макс): 3V
• Отпирающий ток: 200mA
• Ударный ток: 2530A, 2650A
• Ток удержания: 600mA
• Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.73V
• Current - Off State (Max): 30mA
• SCR Type: Standard Recovery

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 125°C
• Package / Case: TO-208AA, TO-48-3, Stud
• Тип корпуса: TO-208AA (TO-48)
• Напряжение в закрытом состоянии: 800V
• Current - On State (It (AV)) (Max): 25A
• Ток в открытом сост. (Макс): 40A
• Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2V
• Отпирающий ток: 60mA
• Ударный ток: 350A, 370A
• Ток удержания: 130mA
• Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7V
• Current - Off State (Max): 10mA
• SCR Type: Standard Recovery

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
• Package / Case: TO-209AC, TO-94-4, Stud
• Тип корпуса: TO-209AC (TO-94)
• Напряжение в закрытом состоянии: 800V
• Current - On State (It (AV)) (Max): 110A
• Ток в открытом сост. (Макс): 172A
• Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2V
• Отпирающий ток: 120mA
• Ударный ток: 1750A, 1830A
• Ток удержания: 200mA
• Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.57V
• Current - Off State (Max): 20mA
• SCR Type: Standard Recovery

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247AC
• Напряжение в закрытом состоянии: 1.2kV
• Current - On State (It (AV)) (Max): 20A
• Ток в открытом сост. (Макс): 30A
• Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2V
• Отпирающий ток: 45mA
• Ударный ток: 250A @ 50Hz
• Ток удержания: 150mA
• Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.3V
• Current - Off State (Max): 10mA
• SCR Type: Standard Recovery

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
• Package / Case: TO-209AE, TO-118-4, Stud
• Тип корпуса: TO-209AE (TO-118)
• Напряжение в закрытом состоянии: 1.2kV
• Current - On State (It (AV)) (Max): 300A
• Ток в открытом сост. (Макс): 471A
• Напряжение открытия (Vgt) (макс): 3V
• Отпирающий ток: 200mA
• Ударный ток: 6690A, 7000A
• Ток удержания: 600mA
• Voltage - On State (Vtm) (Max): 2.16V
• Current - Off State (Max): 50mA
• SCR Type: Standard Recovery

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
• Package / Case: TO-200AB, E-PUK
• Тип корпуса: TO-200AB (E-Puk)
• Напряжение в закрытом состоянии: 400V
• Current - On State (It (AV)) (Max): 650A
• Ток в открытом сост. (Макс): 1290A
• Напряжение открытия (Vgt) (макс): 3V
• Отпирающий ток: 200mA
• Ударный ток: 8000A, 8380A
• Ток удержания: 600mA
• Voltage - On State (Vtm) (Max): 2.18V
• Current - Off State (Max): 50mA
• SCR Type: Standard Recovery

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
• Package / Case: TO-209AB, TO-93-4, Stud
• Тип корпуса: TO-209AB (TO-93)
• Напряжение в закрытом состоянии: 1.2kV
• Current - On State (It (AV)) (Max): 230A
• Ток в открытом сост. (Макс): 360A
• Напряжение открытия (Vgt) (макс): 3V
• Отпирающий ток: 150mA
• Ударный ток: 5700A, 5970A
• Ток удержания: 600mA
• Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.55V
• Current - Off State (Max): 30mA
• SCR Type: Standard Recovery

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247AD
• Напряжение в закрытом состоянии: 1.6kV
• Current - On State (It (AV)) (Max): 20A
• Ток в открытом сост. (Макс): 30A
• Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2V
• Отпирающий ток: 45mA
• Ударный ток: 300A, 314A
• Ток удержания: 150mA
• Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.3V
• Current - Off State (Max): 500µA
• SCR Type: Standard Recovery

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 125°C
• Package / Case: TO-208AA, TO-48-3, Stud
• Тип корпуса: TO-208AA (TO-48)
• Напряжение в закрытом состоянии: 200V
• Current - On State (It (AV)) (Max): 16A
• Ток в открытом сост. (Макс): 35A
• Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2V
• Отпирающий ток: 60mA
• Ударный ток: 285A, 300A
• Ток удержания: 130mA
• Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.75V
• Current - Off State (Max): 10mA
• SCR Type: Standard Recovery

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Package / Case: TO-200AB, A-PUK
• Тип корпуса: TO-200AB, A-PUK
• SCR Type: Standard Recovery

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
• Package / Case: TO-200AB, E-PUK
• Тип корпуса: TO-200AB (E-Puk)
• Напряжение в закрытом состоянии: 1.2kV
• Current - On State (It (AV)) (Max): 720A
• Ток в открытом сост. (Макс): 1420A
• Напряжение открытия (Vgt) (макс): 3V
• Отпирающий ток: 200mA
• Ударный ток: 7570A, 7920A
• Ток удержания: 600mA
• Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.96V
• Current - Off State (Max): 50mA
• SCR Type: Standard Recovery

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
• Package / Case: TO-200AC, B-PUK
• Тип корпуса: TO-200AC, B-PUK
• Напряжение в закрытом состоянии: 400V
• Current - On State (It (AV)) (Max): 1350A
• Ток в открытом сост. (Макс): 2700A
• Напряжение открытия (Vgt) (макс): 3V
• Отпирающий ток: 200mA
• Ударный ток: 20550A, 21500A
• Ток удержания: 600mA
• Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.31V
• Current - Off State (Max): 80mA
• SCR Type: Standard Recovery

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
• Package / Case: TO-200AB, E-PUK
• Тип корпуса: TO-200AB (E-Puk)
• Напряжение в закрытом состоянии: 400V
• Current - On State (It (AV)) (Max): 720A
• Ток в открытом сост. (Макс): 1435A
• Напряжение открытия (Vgt) (макс): 3V
• Отпирающий ток: 200mA
• Ударный ток: 9250A, 9700A
• Ток удержания: 600mA
• Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.96V
• Current - Off State (Max): 50mA
• SCR Type: Standard Recovery