- Производитель
- Напряжение в закрытом состоянии
- Ток в открытом сост. (Макс)
- Структура
-
- Current - On State (It (AV)) (Max)
- Напряжение открытия (Vgt) (макс)
- Отпирающий ток
- Ударный ток
- Ток удержания
- Серия
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: 8-PACE-PAK
- Структура: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1)
- Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs, 2 Diodes
- Напряжение в закрытом состоянии: 800V
- Ток в открытом сост. (Макс): 40A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2V
- Отпирающий ток: 60mA
- Ударный ток: 385A, 400A
- Ток удержания: 130mA
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 130°C (TJ)
- Package / Case: ADD-A-PAK (3 + 2)
- Структура: Series Connection - SCR/Diode
- Number of SCRs, Diodes: 1 SCR, 1 Diode
- Напряжение в закрытом состоянии: 600V
- Current - On State (It (AV)) (Max): 105A
- Ток в открытом сост. (Макс): 235A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2.5V
- Отпирающий ток: 150mA
- Ударный ток: 1785A, 1870A
- Ток удержания: 200mA
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: ADD-A-PAK (3 + 4)
- Структура: Series Connection - All SCRs
- Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
- Напряжение в закрытом состоянии: 1.4kV
- Current - On State (It (AV)) (Max): 95A
- Ток в открытом сост. (Макс): 210A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2.5V
- Отпирающий ток: 150mA
- Ударный ток: 1785A, 1870A
- Ток удержания: 250mA
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
- Package / Case: Module
- Структура: Series Connection - All SCRs
- Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
- Напряжение в закрытом состоянии: 1.6kV
- Current - On State (It (AV)) (Max): 250A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2V
- Отпирающий ток: 200mA
- Ударный ток: 8000A @ 50Hz
- Ток удержания: 300mA
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 130°C (TJ)
- Package / Case: MAGN-A-PAK
- Структура: Series Connection - All SCRs
- Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
- Напряжение в закрытом состоянии: 1.6kV
- Current - On State (It (AV)) (Max): 170A
- Ток в открытом сост. (Макс): 377A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 3V
- Отпирающий ток: 200mA
- Ударный ток: 5100A, 5350A
- Ток удержания: 500mA
-
- Производитель: IXYS
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: WC-500
- Структура: Common Anode - All SCRs
- Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
- Напряжение в закрытом состоянии: 2.2kV
- Current - On State (It (AV)) (Max): 700A
- Ток в открытом сост. (Макс): 1331A
- Ударный ток: 18200 @ 50MHz
-
- Производитель: IXYS
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 140°C (TJ)
- Package / Case: TO-240AA
- Структура: Series Connection - SCR/Diode
- Number of SCRs, Diodes: 1 SCR, 1 Diode
- Напряжение в закрытом состоянии: 1.2kV
- Current - On State (It (AV)) (Max): 65A
- Ток в открытом сост. (Макс): 105A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 1.5V
- Отпирающий ток: 95mA
- Ударный ток: 1150A, 1240A
- Ток удержания: 200mA
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
- Package / Case: DO-200AD
- Структура: Single
- Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
- Напряжение в закрытом состоянии: 2.8kV
- Current - On State (It (AV)) (Max): 1590A
- Ток в открытом сост. (Макс): 3200A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 3V
- Отпирающий ток: 300mA
- Ударный ток: 32000A @ 50Hz
- Ток удержания: 300mA
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 130°C (TJ)
- Package / Case: MAGN-A-PAK
- Структура: Series Connection - All SCRs
- Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
- Напряжение в закрытом состоянии: 1.4kV
- Current - On State (It (AV)) (Max): 170A
- Ток в открытом сост. (Макс): 377A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 3V
- Отпирающий ток: 200mA
- Ударный ток: 5100A, 5350A
- Ток удержания: 500mA
-
- Производитель: IXYS
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: FO-F-A
- Структура: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1)
- Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs, 2 Diodes
- Напряжение в закрытом состоянии: 1.2kV
- Current - On State (It (AV)) (Max): 28A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 1V
- Отпирающий ток: 65mA
- Ударный ток: 300A, 330A
- Ток удержания: 100mA
-
- Производитель: Sensata-Crydom
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Module
- Структура: 1-Phase Controller - All SCRs
- Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
- Напряжение в закрытом состоянии: 600V
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2.5V
- Отпирающий ток: 50mA
- Ударный ток: 300A @ 60Hz
- Ток удержания: 75mA
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 120°C
- Package / Case: TO-200AC
- Структура: Single
- Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
- Current - On State (It (AV)) (Max): 790A
- Ток в открытом сост. (Макс): 864A
- Ударный ток: 10500A @ 50Hz
- Ток удержания: 100mA
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: Module
- Структура: Series Connection - All SCRs
- Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
- Напряжение в закрытом состоянии: 1.6kV
- Current - On State (It (AV)) (Max): 40A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2.5V
- Отпирающий ток: 150mA
- Ударный ток: 1000A @ 50Hz
- Ток удержания: 250mA
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: D-55 T-Module
- Структура: Single
- Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
- Напряжение в закрытом состоянии: 1.2kV
- Current - On State (It (AV)) (Max): 70A
- Ток в открытом сост. (Макс): 110A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2.5V
- Отпирающий ток: 120mA
- Ударный ток: 1660A, 1740A
- Ток удержания: 200mA
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
- Package / Case: DO-200AE
- Структура: Single
- Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
- Напряжение в закрытом состоянии: 2.2kV
- Current - On State (It (AV)) (Max): 2810A
- Ток в открытом сост. (Макс): 5800A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2.5V
- Отпирающий ток: 300mA
- Ударный ток: 58000A @ 50Hz
- Ток удержания: 300mA
- 10
- 15
- 50
- 100