• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 120°C
• Package / Case: TO-200AC
• Структура: Single
• Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
• Напряжение в закрытом состоянии: 4.2kV
• Current - On State (It (AV)) (Max): 730A
• Ток в открытом сост. (Макс): 1840A
• Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2.5V
• Отпирающий ток: 300mA
• Ударный ток: 17600A @ 50Hz
• Ток удержания: 300mA

• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 125°C (TJ)
• Package / Case: Module
• Структура: Series Connection - All SCRs
• Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
• Напряжение в закрытом состоянии: 2.4kV
• Current - On State (It (AV)) (Max): 669A
• Ток в открытом сост. (Макс): 1050A
• Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2.2V
• Отпирающий ток: 250mA
• Ток удержания: 300mA

• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: 125°C (TJ)
• Package / Case: Module
• Структура: Series Connection - SCR/Diode
• Number of SCRs, Diodes: 1 SCR, 1 Diode
• Напряжение в закрытом состоянии: 2.2kV
• Current - On State (It (AV)) (Max): 215A
• Ток в открытом сост. (Макс): 410A
• Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2V
• Отпирающий ток: 200mA
• Ударный ток: 7000A @ 50Hz
• Ток удержания: 300mA

• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 140°C
• Package / Case: DO-200AA, A-PUK
• Структура: Single
• Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
• Напряжение в закрытом состоянии: 600V
• Current - On State (It (AV)) (Max): 1078A
• Ток в открытом сост. (Макс): 2000A
• Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2V
• Отпирающий ток: 200mA
• Ударный ток: 16000A @ 50Hz
• Ток удержания: 200mA

• Производитель: Infineon Technologies

• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 130°C
• Package / Case: Module
• Структура: Series Connection - All SCRs
• Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
• Напряжение в закрытом состоянии: 1.6kV
• Current - On State (It (AV)) (Max): 104A
• Ток в открытом сост. (Макс): 160A
• Напряжение открытия (Vgt) (макс): 1.4V
• Отпирающий ток: 120mA
• Ударный ток: 2050A @ 50Hz
• Ток удержания: 200mA

• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: 130°C (TC)
• Package / Case: Module
• Структура: Series Connection - SCR/Diode
• Number of SCRs, Diodes: 1 SCR, 1 Diode
• Напряжение в закрытом состоянии: 1.6kV
• Current - On State (It (AV)) (Max): 240A
• Ток в открытом сост. (Макс): 275A
• Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2.5V
• Отпирающий ток: 145mA
• Ударный ток: 5200A @ 50Hz
• Ток удержания: 200mA

• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
• Package / Case: DO-200AA, A-PUK
• Структура: Single
• Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
• Напряжение в закрытом состоянии: 2.6kV
• Current - On State (It (AV)) (Max): 360A
• Ток в открытом сост. (Макс): 550A
• Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2V
• Отпирающий ток: 200mA
• Ударный ток: 5000A @ 50Hz
• Ток удержания: 300mA

• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
• Package / Case: Module
• Структура: Series Connection - All SCRs
• Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
• Напряжение в закрытом состоянии: 2kV
• Current - On State (It (AV)) (Max): 446A
• Ток в открытом сост. (Макс): 700A
• Напряжение открытия (Vgt) (макс): 1.5V
• Отпирающий ток: 250mA
• Ударный ток: 10000A @ 50Hz
• Ток удержания: 300mA

• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 130°C (TJ)
• Package / Case: Module
• Структура: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes
• Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes
• Напряжение в закрытом состоянии: 1.6kV
• Current - On State (It (AV)) (Max): 210A
• Ток в открытом сост. (Макс): 360A
• Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2V
• Отпирающий ток: 100mA
• Ударный ток: 3000A @ 50Hz
• Ток удержания: 220mA

• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
• Package / Case: Module
• Структура: Series Connection - SCR/Diode
• Number of SCRs, Diodes: 1 SCR, 1 Diode
• Напряжение в закрытом состоянии: 3.8kV
• Current - On State (It (AV)) (Max): 446A
• Ток в открытом сост. (Макс): 700A
• Напряжение открытия (Vgt) (макс): 1.5V
• Отпирающий ток: 250mA
• Ударный ток: 6100A @ 50Hz
• Ток удержания: 300mA

• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
• Package / Case: Module
• Структура: Single
• Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
• Напряжение в закрытом состоянии: 2.4kV
• Current - On State (It (AV)) (Max): 670A
• Ток в открытом сост. (Макс): 1050A
• Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2.2V
• Отпирающий ток: 250mA
• Ударный ток: 13000A @ 50Hz
• Ток удержания: 300mA

• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
• Package / Case: Module
• Структура: Series Connection - SCR/Diode
• Number of SCRs, Diodes: 1 SCR, 1 Diode
• Напряжение в закрытом состоянии: 1.8kV
• Current - On State (It (AV)) (Max): 250A
• Ток в открытом сост. (Макс): 410A
• Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2V
• Отпирающий ток: 200mA
• Ударный ток: 9100A @ 50Hz
• Ток удержания: 300mA

• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
• Package / Case: DO-200AE
• Структура: Single
• Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
• Напряжение в закрытом состоянии: 2.8kV
• Current - On State (It (AV)) (Max): 2400A
• Ток в открытом сост. (Макс): 4600A
• Напряжение открытия (Vgt) (макс): 3V
• Отпирающий ток: 300mA
• Ударный ток: 44000A @ 50Hz
• Ток удержания: 300mA

• Производитель: Infineon Technologies