-
- Driven Configuration
- Channel Type
- Number of Drivers
- Gate Type
- Logic Voltage - VIL, VIH
- Current - Peak Output (Source, Sink)
- High Side Voltage - Max (Bootstrap)
- Серия
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Напряжение питания: 5V ~ 12V
- Driven Configuration: Half-Bridge
- Channel Type: Synchronous
- Number of Drivers: 2
- Gate Type: N-Channel MOSFET
- Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V
- Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, -
- Входной каскад: Non-Inverting
- High Side Voltage - Max (Bootstrap): 41V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 10-DFN (3x3)
- Напряжение питания: 4.5V ~ 7.5V
- Driven Configuration: Half-Bridge
- Channel Type: Independent
- Number of Drivers: 2
- Gate Type: N-Channel MOSFET
- Logic Voltage - VIL, VIH: 1.7V, 3.4V
- Current - Peak Output (Source, Sink): 3.2A, 3.2A
- Входной каскад: Non-Inverting
- High Side Voltage - Max (Bootstrap): 30V
- Rise / Fall Time (Typ): 5.3ns, 4.8ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Напряжение питания: 4.5V ~ 16V
- Driven Configuration: Low-Side
- Channel Type: Single
- Number of Drivers: 1
- Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET
- Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V
- Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 3A
- Входной каскад: Non-Inverting
- Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Texas Instruments
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 0°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
- Тип корпуса: 8-PDIP
- Напряжение питания: 7V ~ 20V
- Driven Configuration: Low-Side
- Channel Type: Synchronous
- Number of Drivers: 2
- Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET
- Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V
- Current - Peak Output (Source, Sink): 500mA, 1A
- Входной каскад: Non-Inverting
- Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 25ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 16-QFN (5x5)
- Напряжение питания: 10.8V ~ 13.2V
- Driven Configuration: Half-Bridge
- Channel Type: Synchronous
- Number of Drivers: 4
- Gate Type: N-Channel MOSFET
- Входной каскад: Non-Inverting
- High Side Voltage - Max (Bootstrap): 15V
- Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
- Тип корпуса: 28-SOIC
- Напряжение питания: 10V ~ 20V
- Driven Configuration: Half-Bridge
- Channel Type: 3-Phase
- Number of Drivers: 6
- Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
- Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
- Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
- Входной каскад: Inverting
- High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600V
- Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 35ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 14-SOIC
- Напряжение питания: 10V ~ 20V
- Driven Configuration: Half-Bridge
- Channel Type: Independent
- Number of Drivers: 2
- Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
- Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V
- Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A
- Входной каскад: Non-Inverting
- High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600V
- Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Linear Technology/Analog Devices
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TJ)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Напряжение питания: 8V ~ 48V
- Driven Configuration: High-Side
- Channel Type: Single
- Number of Drivers: 1
- Gate Type: N-Channel MOSFET
- Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V
- Входной каскад: Non-Inverting
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 44-LCC (J-Lead), 32 Leads
- Тип корпуса: 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)
- Напряжение питания: 10V ~ 20V
- Driven Configuration: Half-Bridge
- Channel Type: 3-Phase
- Number of Drivers: 6
- Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
- Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
- Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
- Входной каскад: Inverting
- High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600V
- Rise / Fall Time (Typ): 125ns, 50ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Напряжение питания: 4.5V ~ 18V
- Driven Configuration: Low-Side
- Channel Type: Independent
- Number of Drivers: 2
- Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET
- Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V
- Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
- Входной каскад: Non-Inverting
- Rise / Fall Time (Typ): 7.5ns, 10ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Linear Technology/Analog Devices
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Напряжение питания: 4.5V ~ 13.2V
- Driven Configuration: High-Side or Low-Side
- Channel Type: Independent
- Number of Drivers: 2
- Gate Type: N-Channel MOSFET
- Logic Voltage - VIL, VIH: 1.7V, 2.2V
- Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
- Входной каскад: Non-Inverting
- Rise / Fall Time (Typ): 16ns, 16ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Texas Instruments
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: 10-WDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 10-WSON (4x4)
- Напряжение питания: 9V ~ 14V
- Driven Configuration: Half-Bridge
- Channel Type: Independent
- Number of Drivers: 2
- Gate Type: N-Channel MOSFET
- Logic Voltage - VIL, VIH: 2.3V, -
- Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
- Входной каскад: Non-Inverting
- High Side Voltage - Max (Bootstrap): 118V
- Rise / Fall Time (Typ): 570ns, 430ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Texas Instruments
- Серия: Automotive, AEC-Q100
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6
- Тип корпуса: SOT-23-6
- Напряжение питания: 4.5V ~ 18V
- Driven Configuration: Low-Side
- Channel Type: Single
- Number of Drivers: 1
- Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
- Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 2.4V
- Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A
- Входной каскад: Inverting, Non-Inverting
- Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 7ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Intersil
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 16-QFN (4x4)
- Напряжение питания: 10.8V ~ 13.2V
- Driven Configuration: Half-Bridge
- Channel Type: Synchronous
- Number of Drivers: 4
- Gate Type: N-Channel MOSFET
- Current - Peak Output (Source, Sink): 1.25A, 2A
- Входной каскад: Non-Inverting
- High Side Voltage - Max (Bootstrap): 36V
- Rise / Fall Time (Typ): 26ns, 18ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6
- Тип корпуса: SOT-6
- Напряжение питания: 4V ~ 12.6V
- Driven Configuration: Low-Side
- Channel Type: Single
- Number of Drivers: 1
- Gate Type: N-Channel MOSFET
- Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V
- Current - Peak Output (Source, Sink): 1.3A, 7.6A
- Входной каскад: Inverting, Non-Inverting
- Rise / Fall Time (Typ): 82ns, 12.5ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100