-
- Driven Configuration
- Channel Type
- Number of Drivers
- Gate Type
- Logic Voltage - VIL, VIH
- Current - Peak Output (Source, Sink)
- High Side Voltage - Max (Bootstrap)
- Серия
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Напряжение питания: 4.5V ~ 18V
- Driven Configuration: Low-Side
- Channel Type: Single
- Number of Drivers: 1
- Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET
- Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V
- Current - Peak Output (Source, Sink): 4.5A, 4.5A
- Входной каскад: Non-Inverting
- Rise / Fall Time (Typ): 9.5ns, 9ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Texas Instruments
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Напряжение питания: 3.5V ~ 14V
- Driven Configuration: Low-Side
- Channel Type: Independent
- Number of Drivers: 2
- Gate Type: N-Channel MOSFET
- Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
- Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 5A
- Входной каскад: Inverting, Non-Inverting
- Rise / Fall Time (Typ): 14ns, 12ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Driven Configuration: Half-Bridge
- Channel Type: Synchronous
- Number of Drivers: 2
- Gate Type: N-Channel MOSFET
- Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 2V
- Current - Peak Output (Source, Sink): -, 4A
- Входной каскад: Non-Inverting
- High Side Voltage - Max (Bootstrap): 36V
- Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 8ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
- Тип корпуса: 8-PDIP
- Напряжение питания: 4.5V ~ 18V
- Driven Configuration: Low-Side
- Channel Type: Single
- Number of Drivers: 1
- Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
- Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V
- Current - Peak Output (Source, Sink): 12A, 12A
- Входной каскад: Inverting
- Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 24ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
- Тип корпуса: 8-PDIP
- Напряжение питания: 4.5V ~ 18V
- Driven Configuration: Low-Side
- Channel Type: Independent
- Number of Drivers: 2
- Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET
- Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V
- Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
- Входной каскад: Non-Inverting
- Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 29ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: IXYS
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
- Тип корпуса: 8-DIP
- Напряжение питания: 4.5V ~ 30V
- Driven Configuration: Low-Side
- Channel Type: Independent
- Number of Drivers: 2
- Gate Type: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
- Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
- Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
- Входной каскад: Inverting
- Rise / Fall Time (Typ): 7.5ns, 6.5ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TA)
- Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 8-DFN-S (6x5)
- Напряжение питания: 4.5V ~ 18V
- Driven Configuration: Low-Side
- Channel Type: Independent
- Number of Drivers: 2
- Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET
- Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V
- Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
- Входной каскад: Inverting, Non-Inverting
- Rise / Fall Time (Typ): 19ns, 19ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Напряжение питания: 9V ~ 14V
- Driven Configuration: Half-Bridge
- Channel Type: Independent
- Number of Drivers: 2
- Gate Type: N-Channel MOSFET
- Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
- Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
- Входной каскад: Non-Inverting
- High Side Voltage - Max (Bootstrap): 114V
- Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 10ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Напряжение питания: 3.5V ~ 14V
- Driven Configuration: Low-Side
- Channel Type: Independent
- Number of Drivers: 2
- Gate Type: N-Channel MOSFET
- Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
- Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 5A
- Входной каскад: Inverting, Non-Inverting
- Rise / Fall Time (Typ): 14ns, 12ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 16-SOIC
- Напряжение питания: 7V ~ 20V
- Driven Configuration: Low-Side
- Channel Type: Synchronous
- Number of Drivers: 2
- Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET
- Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V
- Current - Peak Output (Source, Sink): 500mA, 1A
- Входной каскад: Non-Inverting
- Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 25ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 14-SOIC
- Напряжение питания: 13V ~ 20V
- Driven Configuration: Half-Bridge
- Channel Type: Independent
- Number of Drivers: 2
- Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
- Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 2.5V
- Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
- Входной каскад: Non-Inverting
- High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600V
- Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 30ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 16-QFN (4x4)
- Напряжение питания: 10.8V ~ 13.2V
- Driven Configuration: Half-Bridge
- Channel Type: Synchronous
- Number of Drivers: 4
- Gate Type: N-Channel MOSFET
- Current - Peak Output (Source, Sink): 1.25A, 2A
- Входной каскад: Non-Inverting
- High Side Voltage - Max (Bootstrap): 36V
- Rise / Fall Time (Typ): 26ns, 18ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Richtek USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 8-WDFN-SL (2x2)
- Напряжение питания: 4.5V ~ 13.2V
- Driven Configuration: High-Side or Low-Side
- Channel Type: Synchronous
- Number of Drivers: 2
- Gate Type: N-Channel MOSFET
- Входной каскад: Non-Inverting
- High Side Voltage - Max (Bootstrap): 46 V
- Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 12ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 10-DFN (3x3)
- Напряжение питания: 10.8V ~ 13.2V
- Driven Configuration: Half-Bridge
- Channel Type: Synchronous
- Number of Drivers: 2
- Gate Type: N-Channel MOSFET
- Current - Peak Output (Source, Sink): 1.25A, 2A
- Входной каскад: Non-Inverting
- High Side Voltage - Max (Bootstrap): 36V
- Rise / Fall Time (Typ): 26ns, 18ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100