Найдено: 7512
  • IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Напряжение питания: 4.5V ~ 18V
    • Driven Configuration: Low-Side
    • Channel Type: Single
    • Number of Drivers: 1
    • Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET
    • Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V
    • Current - Peak Output (Source, Sink): 4.5A, 4.5A
    • Входной каскад: Non-Inverting
    • Rise / Fall Time (Typ): 9.5ns, 9ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
    Texas Instruments
    • Производитель: Texas Instruments
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Напряжение питания: 3.5V ~ 14V
    • Driven Configuration: Low-Side
    • Channel Type: Independent
    • Number of Drivers: 2
    • Gate Type: N-Channel MOSFET
    • Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
    • Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 5A
    • Входной каскад: Inverting, Non-Inverting
    • Rise / Fall Time (Typ): 14ns, 12ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
    • Driven Configuration: Half-Bridge
    • Channel Type: Synchronous
    • Number of Drivers: 2
    • Gate Type: N-Channel MOSFET
    • Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 2V
    • Current - Peak Output (Source, Sink): -, 4A
    • Входной каскад: Non-Inverting
    • High Side Voltage - Max (Bootstrap): 36V
    • Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 8ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 8-PDIP
    • Напряжение питания: 4.5V ~ 18V
    • Driven Configuration: Low-Side
    • Channel Type: Single
    • Number of Drivers: 1
    • Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
    • Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V
    • Current - Peak Output (Source, Sink): 12A, 12A
    • Входной каскад: Inverting
    • Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 24ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • LOW-SIDE MOSFET DRIVER
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 8-PDIP
    • Напряжение питания: 4.5V ~ 18V
    • Driven Configuration: Low-Side
    • Channel Type: Independent
    • Number of Drivers: 2
    • Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET
    • Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V
    • Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
    • Входной каскад: Non-Inverting
    • Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 29ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 8-DIP
    • Напряжение питания: 4.5V ~ 30V
    • Driven Configuration: Low-Side
    • Channel Type: Independent
    • Number of Drivers: 2
    • Gate Type: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
    • Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
    • Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
    • Входной каскад: Inverting
    • Rise / Fall Time (Typ): 7.5ns, 6.5ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TA)
    • Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 8-DFN-S (6x5)
    • Напряжение питания: 4.5V ~ 18V
    • Driven Configuration: Low-Side
    • Channel Type: Independent
    • Number of Drivers: 2
    • Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET
    • Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V
    • Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
    • Входной каскад: Inverting, Non-Inverting
    • Rise / Fall Time (Typ): 19ns, 19ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Напряжение питания: 9V ~ 14V
    • Driven Configuration: Half-Bridge
    • Channel Type: Independent
    • Number of Drivers: 2
    • Gate Type: N-Channel MOSFET
    • Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
    • Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
    • Входной каскад: Non-Inverting
    • High Side Voltage - Max (Bootstrap): 114V
    • Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 10ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BUFFER/INVERTER PERIPHL DRIVER
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Напряжение питания: 3.5V ~ 14V
    • Driven Configuration: Low-Side
    • Channel Type: Independent
    • Number of Drivers: 2
    • Gate Type: N-Channel MOSFET
    • Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
    • Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 5A
    • Входной каскад: Inverting, Non-Inverting
    • Rise / Fall Time (Typ): 14ns, 12ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BUFFER/INVERTER MOSFET DRIVER
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 16-SOIC
    • Напряжение питания: 7V ~ 20V
    • Driven Configuration: Low-Side
    • Channel Type: Synchronous
    • Number of Drivers: 2
    • Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET
    • Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V
    • Current - Peak Output (Source, Sink): 500mA, 1A
    • Входной каскад: Non-Inverting
    • Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 25ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOP
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 14-SOIC
    • Напряжение питания: 13V ~ 20V
    • Driven Configuration: Half-Bridge
    • Channel Type: Independent
    • Number of Drivers: 2
    • Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
    • Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 2.5V
    • Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
    • Входной каскад: Non-Inverting
    • High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600V
    • Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 30ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 16-QFN (4x4)
    • Напряжение питания: 10.8V ~ 13.2V
    • Driven Configuration: Half-Bridge
    • Channel Type: Synchronous
    • Number of Drivers: 4
    • Gate Type: N-Channel MOSFET
    • Current - Peak Output (Source, Sink): 1.25A, 2A
    • Входной каскад: Non-Inverting
    • High Side Voltage - Max (Bootstrap): 36V
    • Rise / Fall Time (Typ): 26ns, 18ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DRIVER IC PG-DSO-8
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC BUCK MOSFET DRVR WDFN-8S
    Richtek USA Inc.
    • Производитель: Richtek USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 8-WDFN-SL (2x2)
    • Напряжение питания: 4.5V ~ 13.2V
    • Driven Configuration: High-Side or Low-Side
    • Channel Type: Synchronous
    • Number of Drivers: 2
    • Gate Type: N-Channel MOSFET
    • Входной каскад: Non-Inverting
    • High Side Voltage - Max (Bootstrap): 46 V
    • Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 12ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 10-DFN (3x3)
    • Напряжение питания: 10.8V ~ 13.2V
    • Driven Configuration: Half-Bridge
    • Channel Type: Synchronous
    • Number of Drivers: 2
    • Gate Type: N-Channel MOSFET
    • Current - Peak Output (Source, Sink): 1.25A, 2A
    • Входной каскад: Non-Inverting
    • High Side Voltage - Max (Bootstrap): 36V
    • Rise / Fall Time (Typ): 26ns, 18ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: