Драйверы для управления затвором | Микросхемы управления питанием | Интегральные микросхемы

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 7512

IRS2807DSTRPBF

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TA)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: PG-DSO-8-903
- Напряжение питания: 10V ~ 20V
- Driven Configuration: High-Side or Low-Side
- Channel Type: Synchronous
- Number of Drivers: 2
- Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
- Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
- Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
- Входной каскад: Non-Inverting
- High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600V
- Rise / Fall Time (Typ): 150ns, 50ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
ISL6613IRZ-T

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 10-DFN (3x3)
- Напряжение питания: 10.8V ~ 13.2V
- Driven Configuration: Half-Bridge
- Channel Type: Synchronous
- Number of Drivers: 2
- Gate Type: N-Channel MOSFET
- Current - Peak Output (Source, Sink): 1.25A, 2A
- Входной каскад: Non-Inverting
- High Side Voltage - Max (Bootstrap): 36V
- Rise / Fall Time (Typ): 26ns, 18ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
TPS2830PWPR

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 14HTSSOP

Texas Instruments
- Производитель: Texas Instruments
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
- Тип корпуса: 14-HTSSOP
- Напряжение питания: 4.5V ~ 15V
- Driven Configuration: High-Side
- Channel Type: Synchronous
- Number of Drivers: 2
- Gate Type: N-Channel MOSFET
- Current - Peak Output (Source, Sink): 2.7A, 2.4A
- Входной каскад: Non-Inverting
- High Side Voltage - Max (Bootstrap): 28V
- Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
ISL6614AIBZ-T

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 14-SOIC
- Напряжение питания: 10.8V ~ 13.2V
- Driven Configuration: Half-Bridge
- Channel Type: Synchronous
- Number of Drivers: 4
- Gate Type: N-Channel MOSFET
- Current - Peak Output (Source, Sink): 1.25A, 2A
- Входной каскад: Non-Inverting
- High Side Voltage - Max (Bootstrap): 36V
- Rise / Fall Time (Typ): 26ns, 18ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IR25603STRPBFTR

IR25603 - GATE DRIVER

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
ISL89168FBEAZ

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
- Тип корпуса: 8-SOIC-EP
- Напряжение питания: 4.5V ~ 16V
- Driven Configuration: Low-Side
- Channel Type: Independent
- Number of Drivers: 2
- Gate Type: N-Channel MOSFET
- Logic Voltage - VIL, VIH: 1.22V, 2.08V
- Current - Peak Output (Source, Sink): 6A, 6A
- Входной каскад: Inverting, Non-Inverting
- Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
FAN7390AMX1

HALF BRIDGE BASED PERIPHERAL DRI

Fairchild Semiconductor
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 14-SOP
- Напряжение питания: 10V ~ 20V
- Driven Configuration: Half-Bridge
- Channel Type: Independent
- Number of Drivers: 2
- Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
- Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 2.5V
- Current - Peak Output (Source, Sink): 4.5A, 4.5A
- Входной каскад: Non-Inverting
- High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600V
- Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 20ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
TC1413NEOA

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Напряжение питания: 4.5V ~ 16V
- Driven Configuration: Low-Side
- Channel Type: Single
- Number of Drivers: 1
- Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET
- Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V
- Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 3A
- Входной каскад: Non-Inverting
- Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MIC5011YN

IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP

Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
- Тип корпуса: 8-PDIP
- Напряжение питания: 4.75V ~ 32V
- Driven Configuration: High-Side or Low-Side
- Channel Type: Single
- Number of Drivers: 1
- Gate Type: N-Channel MOSFET
- Logic Voltage - VIL, VIH: 2V, 4.5V
- Входной каскад: Non-Inverting
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
ISL6614BIBZ

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 14-SOIC
- Напряжение питания: 7V ~ 13.2V
- Driven Configuration: Half-Bridge
- Channel Type: Synchronous
- Number of Drivers: 4
- Gate Type: N-Channel MOSFET
- Current - Peak Output (Source, Sink): 1.25A, 2A
- Входной каскад: Non-Inverting
- High Side Voltage - Max (Bootstrap): 36V
- Rise / Fall Time (Typ): 26ns, 18ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
NCP5106APG

HALF BRIDGE PERIPHERAL DRIVER

Rochester Electronics, LLC
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
- Тип корпуса: 8-PDIP
- Напряжение питания: 10V ~ 20V
- Driven Configuration: Half-Bridge
- Channel Type: Independent
- Number of Drivers: 2
- Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
- Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V
- Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
- Входной каскад: Non-Inverting
- High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600V
- Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
ISL6612IBZ

HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER

Intersil
- Производитель: Intersil
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Напряжение питания: 10.8V ~ 13.2V
- Driven Configuration: Half-Bridge
- Channel Type: Synchronous
- Number of Drivers: 2
- Gate Type: N-Channel MOSFET
- Current - Peak Output (Source, Sink): 1.25A, 2A
- Входной каскад: Non-Inverting
- High Side Voltage - Max (Bootstrap): 36V
- Rise / Fall Time (Typ): 26ns, 18ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
L6398D

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

STMicroelectronics
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Напряжение питания: 10V ~ 20V
- Driven Configuration: Half-Bridge
- Channel Type: Independent
- Number of Drivers: 2
- Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
- Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.9V
- Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 430mA
- Входной каскад: Inverting, Non-Inverting
- High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600V
- Rise / Fall Time (Typ): 75ns, 35ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
NCP5351D

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -30°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Напряжение питания: 4.5V ~ 6.5V
- Driven Configuration: Half-Bridge
- Channel Type: Synchronous
- Number of Drivers: 2
- Gate Type: N-Channel MOSFET
- Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V
- Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
- Входной каскад: Inverting, Non-Inverting
- High Side Voltage - Max (Bootstrap): 25V
- Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 14ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
ISL6605CBZR5168

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Driven Configuration: Half-Bridge
- Channel Type: Synchronous
- Number of Drivers: 2
- Gate Type: N-Channel MOSFET
- Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 2V
- Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
- Входной каскад: Non-Inverting
- High Side Voltage - Max (Bootstrap): 33V
- Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 8ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: