Найдено: 7512
  • IC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5
    IXYS Integrated Circuits Division
    • Производитель: IXYS Integrated Circuits Division
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-5
    • Тип корпуса: TO-220-5
    • Напряжение питания: 9V ~ 35V
    • Driven Configuration: Low-Side
    • Channel Type: Single
    • Number of Drivers: 1
    • Gate Type: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
    • Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3.5V
    • Current - Peak Output (Source, Sink): 30A, 30A
    • Входной каскад: Non-Inverting
    • Rise / Fall Time (Typ): 11ns, 11ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
    Intersil
    • Производитель: Intersil
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Напряжение питания: 10.8V ~ 13.2V
    • Driven Configuration: Half-Bridge
    • Channel Type: Synchronous
    • Number of Drivers: 2
    • Gate Type: N-Channel MOSFET
    • Current - Peak Output (Source, Sink): 1.25A, 2A
    • Входной каскад: Non-Inverting
    • High Side Voltage - Max (Bootstrap): 36V
    • Rise / Fall Time (Typ): 26ns, 18ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Напряжение питания: 10.8V ~ 13.2V
    • Driven Configuration: Half-Bridge
    • Channel Type: Synchronous
    • Number of Drivers: 2
    • Gate Type: N-Channel MOSFET
    • Current - Peak Output (Source, Sink): 1.25A, 2A
    • Входной каскад: Non-Inverting
    • High Side Voltage - Max (Bootstrap): 36V
    • Rise / Fall Time (Typ): 26ns, 18ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC GATE DRVR LOW-SIDE 8MLF
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: 8-VFDFN Exposed Pad, 8-MLF®
    • Тип корпуса: 8-MLF® (2x2)
    • Напряжение питания: 4.5V ~ 20V
    • Driven Configuration: Low-Side
    • Channel Type: Single
    • Number of Drivers: 1
    • Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET
    • Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V
    • Current - Peak Output (Source, Sink): 6A, 6A
    • Входной каскад: Non-Inverting
    • Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 13ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 125°C (TJ)
    • Package / Case: 44-LCC (J-Lead), 32 Leads
    • Тип корпуса: 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)
    • Напряжение питания: 10V ~ 20V
    • Driven Configuration: Half-Bridge
    • Channel Type: 3-Phase
    • Number of Drivers: 6
    • Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
    • Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
    • Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
    • Входной каскад: Inverting
    • High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600V
    • Rise / Fall Time (Typ): 90ns, 40ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRIVER MOSFET 8-SOIC
    Analog Devices Inc./Maxim Integrated
    • Производитель: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Напряжение питания: 8V ~ 12.6V
    • Driven Configuration: Half-Bridge
    • Number of Drivers: 2
    • Входной каскад: Inverting, Non-Inverting
    • High Side Voltage - Max (Bootstrap): 175V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON
    Texas Instruments
    • Производитель: Texas Instruments
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: 10-WDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 10-WSON (4x4)
    • Напряжение питания: 9V ~ 14V
    • Driven Configuration: Half-Bridge
    • Channel Type: Independent
    • Number of Drivers: 2
    • Gate Type: N-Channel MOSFET
    • Logic Voltage - VIL, VIH: 2.3V, -
    • Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A
    • Входной каскад: Non-Inverting
    • High Side Voltage - Max (Bootstrap): 118V
    • Rise / Fall Time (Typ): 990ns, 715ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Напряжение питания: 4.5V ~ 18V
    • Driven Configuration: Low-Side
    • Channel Type: Single
    • Number of Drivers: 1
    • Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET
    • Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V
    • Current - Peak Output (Source, Sink): 6A, 6A
    • Входной каскад: Inverting
    • Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 10ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 14-DIP
    • Напряжение питания: 10V ~ 20V
    • Driven Configuration: Half-Bridge
    • Channel Type: Independent
    • Number of Drivers: 2
    • Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
    • Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
    • Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
    • Входной каскад: Inverting, Non-Inverting
    • High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600V
    • Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 10-DFN (3x3)
    • Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
    • Driven Configuration: Half-Bridge
    • Channel Type: Synchronous
    • Number of Drivers: 2
    • Gate Type: N-Channel MOSFET
    • Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
    • Входной каскад: Non-Inverting
    • High Side Voltage - Max (Bootstrap): 36V
    • Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 8ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 14-SOIC
    • Напряжение питания: 10.8V ~ 13.2V
    • Driven Configuration: Half-Bridge
    • Channel Type: Synchronous
    • Number of Drivers: 4
    • Gate Type: N-Channel MOSFET
    • Current - Peak Output (Source, Sink): 1.25A, 2A
    • Входной каскад: Non-Inverting
    • High Side Voltage - Max (Bootstrap): 36V
    • Rise / Fall Time (Typ): 26ns, 18ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 14-SOIC
    • Напряжение питания: 10V ~ 20V
    • Driven Configuration: Half-Bridge
    • Channel Type: Synchronous
    • Number of Drivers: 2
    • Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
    • Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
    • Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
    • Входной каскад: Non-Inverting
    • High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600V
    • Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC GATE DRVR LOW-SIDE 8MSOP
    Analog Devices Inc.
    • Производитель: Analog Devices Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad
    • Тип корпуса: 8-MSOP-EP
    • Напряжение питания: 9.5V ~ 18V
    • Driven Configuration: Low-Side
    • Channel Type: Independent
    • Number of Drivers: 2
    • Gate Type: N-Channel MOSFET
    • Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V
    • Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
    • Входной каскад: Inverting, Non-Inverting
    • Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 10ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC GATE DRVR LOW-SIDE 8MSOP
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad
    • Тип корпуса: 8-MSOP-EP
    • Напряжение питания: 5V ~ 18V
    • Driven Configuration: Low-Side
    • Channel Type: Independent
    • Number of Drivers: 2
    • Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
    • Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
    • Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
    • Входной каскад: Non-Inverting
    • Rise / Fall Time (Typ): 45ns, 35ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
    • Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
    • Driven Configuration: Half-Bridge
    • Channel Type: Independent
    • Number of Drivers: 2
    • Gate Type: N-Channel MOSFET
    • Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
    • Входной каскад: Non-Inverting
    • High Side Voltage - Max (Bootstrap): 36V
    • Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 10ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: