-
- Driven Configuration
- Channel Type
- Number of Drivers
- Gate Type
- Logic Voltage - VIL, VIH
- Current - Peak Output (Source, Sink)
- High Side Voltage - Max (Bootstrap)
- Серия
-
- Производитель: IXYS Integrated Circuits Division
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-5
- Тип корпуса: TO-220-5
- Напряжение питания: 9V ~ 35V
- Driven Configuration: Low-Side
- Channel Type: Single
- Number of Drivers: 1
- Gate Type: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
- Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3.5V
- Current - Peak Output (Source, Sink): 30A, 30A
- Входной каскад: Non-Inverting
- Rise / Fall Time (Typ): 11ns, 11ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Intersil
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Напряжение питания: 10.8V ~ 13.2V
- Driven Configuration: Half-Bridge
- Channel Type: Synchronous
- Number of Drivers: 2
- Gate Type: N-Channel MOSFET
- Current - Peak Output (Source, Sink): 1.25A, 2A
- Входной каскад: Non-Inverting
- High Side Voltage - Max (Bootstrap): 36V
- Rise / Fall Time (Typ): 26ns, 18ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Напряжение питания: 10.8V ~ 13.2V
- Driven Configuration: Half-Bridge
- Channel Type: Synchronous
- Number of Drivers: 2
- Gate Type: N-Channel MOSFET
- Current - Peak Output (Source, Sink): 1.25A, 2A
- Входной каскад: Non-Inverting
- High Side Voltage - Max (Bootstrap): 36V
- Rise / Fall Time (Typ): 26ns, 18ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: 8-VFDFN Exposed Pad, 8-MLF®
- Тип корпуса: 8-MLF® (2x2)
- Напряжение питания: 4.5V ~ 20V
- Driven Configuration: Low-Side
- Channel Type: Single
- Number of Drivers: 1
- Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET
- Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V
- Current - Peak Output (Source, Sink): 6A, 6A
- Входной каскад: Non-Inverting
- Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 13ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: 44-LCC (J-Lead), 32 Leads
- Тип корпуса: 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)
- Напряжение питания: 10V ~ 20V
- Driven Configuration: Half-Bridge
- Channel Type: 3-Phase
- Number of Drivers: 6
- Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
- Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
- Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
- Входной каскад: Inverting
- High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600V
- Rise / Fall Time (Typ): 90ns, 40ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Напряжение питания: 8V ~ 12.6V
- Driven Configuration: Half-Bridge
- Number of Drivers: 2
- Входной каскад: Inverting, Non-Inverting
- High Side Voltage - Max (Bootstrap): 175V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Texas Instruments
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: 10-WDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 10-WSON (4x4)
- Напряжение питания: 9V ~ 14V
- Driven Configuration: Half-Bridge
- Channel Type: Independent
- Number of Drivers: 2
- Gate Type: N-Channel MOSFET
- Logic Voltage - VIL, VIH: 2.3V, -
- Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A
- Входной каскад: Non-Inverting
- High Side Voltage - Max (Bootstrap): 118V
- Rise / Fall Time (Typ): 990ns, 715ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Напряжение питания: 4.5V ~ 18V
- Driven Configuration: Low-Side
- Channel Type: Single
- Number of Drivers: 1
- Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET
- Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V
- Current - Peak Output (Source, Sink): 6A, 6A
- Входной каскад: Inverting
- Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 10ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
- Тип корпуса: 14-DIP
- Напряжение питания: 10V ~ 20V
- Driven Configuration: Half-Bridge
- Channel Type: Independent
- Number of Drivers: 2
- Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
- Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
- Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
- Входной каскад: Inverting, Non-Inverting
- High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600V
- Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 10-DFN (3x3)
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Driven Configuration: Half-Bridge
- Channel Type: Synchronous
- Number of Drivers: 2
- Gate Type: N-Channel MOSFET
- Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
- Входной каскад: Non-Inverting
- High Side Voltage - Max (Bootstrap): 36V
- Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 8ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 14-SOIC
- Напряжение питания: 10.8V ~ 13.2V
- Driven Configuration: Half-Bridge
- Channel Type: Synchronous
- Number of Drivers: 4
- Gate Type: N-Channel MOSFET
- Current - Peak Output (Source, Sink): 1.25A, 2A
- Входной каскад: Non-Inverting
- High Side Voltage - Max (Bootstrap): 36V
- Rise / Fall Time (Typ): 26ns, 18ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 14-SOIC
- Напряжение питания: 10V ~ 20V
- Driven Configuration: Half-Bridge
- Channel Type: Synchronous
- Number of Drivers: 2
- Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
- Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
- Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
- Входной каскад: Non-Inverting
- High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600V
- Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Analog Devices Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad
- Тип корпуса: 8-MSOP-EP
- Напряжение питания: 9.5V ~ 18V
- Driven Configuration: Low-Side
- Channel Type: Independent
- Number of Drivers: 2
- Gate Type: N-Channel MOSFET
- Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V
- Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
- Входной каскад: Inverting, Non-Inverting
- Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 10ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad
- Тип корпуса: 8-MSOP-EP
- Напряжение питания: 5V ~ 18V
- Driven Configuration: Low-Side
- Channel Type: Independent
- Number of Drivers: 2
- Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
- Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
- Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
- Входной каскад: Non-Inverting
- Rise / Fall Time (Typ): 45ns, 35ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Driven Configuration: Half-Bridge
- Channel Type: Independent
- Number of Drivers: 2
- Gate Type: N-Channel MOSFET
- Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
- Входной каскад: Non-Inverting
- High Side Voltage - Max (Bootstrap): 36V
- Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 10ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100