• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 52-LCC (J-Lead)
• Тип корпуса: 52-PLCC (19.13x19.13)
• Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
• Объем памяти: 18Kb (2K x 9)
• Технология: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 55ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 55ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 100-LQFP
• Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
• Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
• Объем памяти: 9Mb (256K x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 133MHz
• Время доступа: 4.2ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TA)
• Package / Case: 24-CDIP (0.300", 7.62mm)
• Тип корпуса: 24-CDIP
• Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
• Объем памяти: 16Kb (2K x 8)
• Технология: SRAM - Asynchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 20ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 20ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 28-DIP (0.300", 7.62mm)
• Тип корпуса: 28-PDIP
• Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
• Объем памяти: 256Kb (32K x 8)
• Технология: SRAM - Asynchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 12ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 12ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Тип корпуса: 44-TSOP II
• Напряжение питания: 2.4V ~ 3.6V
• Объем памяти: 8Mb (512K x 16)
• Технология: SRAM - Asynchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 10ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 10ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Серия: MoBL®
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Тип корпуса: 44-TSOP II
• Напряжение питания: 2.2V ~ 3.6V
• Объем памяти: 2Mb (128K x 16)
• Технология: SRAM - Asynchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 45ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 45ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 5-SIP Module
• Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
• Объем памяти: 1Kb (128 x 8)
• Технология: SRAM
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 4MHz
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: I²C

• Производитель: Rochester Electronics, LLC
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 165-LBGA
• Тип корпуса: 165-FBGA (15x17)
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
• Объем памяти: 72Mb (2M x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, QDR II+
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 200MHz
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Rochester Electronics, LLC
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 165-LBGA
• Тип корпуса: 165-FBGA (15x17)
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
• Объем памяти: 36Mb (1M x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, QDR II+
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 250MHz
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Rochester Electronics, LLC
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Тип корпуса: 44-TSOP II
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 4Mb (256K x 16)
• Технология: SRAM - Asynchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 10ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 10ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 165-LBGA
• Тип корпуса: 165-FBGA (13x15)
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
• Объем памяти: 36Mb (1M x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, DDR II
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 250MHz
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 100-LQFP
• Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 128Kb (8K x 16)
• Технология: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 15ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 15ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 165-TBGA
• Тип корпуса: 165-TFBGA (13x15)
• Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
• Объем памяти: 9Mb (256K x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 200MHz
• Время доступа: 3.1ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 208-LFBGA
• Тип корпуса: 208-CABGA (15x15)
• Напряжение питания: 3.15V ~ 3.45V
• Объем памяти: 9Mb (512K x 18)
• Технология: SRAM - Dual Port, Synchronous
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 166MHz
• Время доступа: 3.6ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Серия: NoBL™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 100-LQFP
• Тип корпуса: 100-TQFP (14x20)
• Напряжение питания: 3.135V ~ 3.6V
• Объем памяти: 36Mb (1M x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 200MHz
• Время доступа: 3.2ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel