• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 44-LQFP
• Тип корпуса: 44-TQFP (10x10)
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 2Mb (128K x 16)
• Технология: SRAM - Asynchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 12ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 12ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 100-LQFP
• Тип корпуса: 100-TQFP (14x20)
• Напряжение питания: 3.15V ~ 3.6V
• Объем памяти: 4.5Mb (256K x 18)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 133MHz
• Время доступа: 4ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 119-BBGA
• Тип корпуса: 119-PBGA (14x22)
• Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
• Объем памяти: 4.5Mb (128K x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 200MHz
• Время доступа: 3.1ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 100-LQFP
• Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
• Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
• Объем памяти: 1Mb (128K x 8)
• Технология: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 20ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 20ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 100-LQFP
• Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
• Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
• Объем памяти: 9Mb (256K x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 87MHz
• Время доступа: 8.5ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 100-LQFP
• Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
• Напряжение питания: 2.375V ~ 2.625V
• Объем памяти: 18Mb (512K x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 8ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• Тип корпуса: 48-TSOP I
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Объем памяти: 16Mb (2M x 8, 1M x 16)
• Технология: SRAM
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 70ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 70ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 100-LQFP
• Тип корпуса: 100-TQFP (14x20)
• Напряжение питания: 3.15V ~ 3.6V
• Объем памяти: 2Mb (64K x 32)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 166MHz
• Время доступа: 3.5ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Серия: NoBL™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 100-LQFP
• Тип корпуса: 100-TQFP (14x20)
• Напряжение питания: 3.135V ~ 3.6V
• Объем памяти: 9Mb (512K x 18)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 200MHz
• Время доступа: 3.2ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 119-BGA
• Тип корпуса: 119-PBGA (14x22)
• Напряжение питания: 3.15V ~ 3.6V
• Объем памяти: 4.5Mb (128K x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 100MHz
• Время доступа: 8ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 20-DIP (0.300", 7.62mm)
• Тип корпуса: 20-DIP
• Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
• Объем памяти: 16Kb (4K x 4)
• Технология: SRAM - Asynchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 35ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 35ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 119-BGA
• Тип корпуса: 119-PBGA (14x22)
• Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
• Объем памяти: 4.5Mb (128K x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 100MHz
• Время доступа: 5ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
• Тип корпуса: 28-TSOP I
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 256Kb (32K x 8)
• Технология: SRAM - Asynchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 12ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 12ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 100-LQFP
• Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
• Напряжение питания: 3.135V ~ 3.6V
• Объем памяти: 4.5Mb (128K x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 100MHz
• Время доступа: 8ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Тип корпуса: 44-TSOP II
• Напряжение питания: 3.135V ~ 3.6V
• Объем памяти: 2Mb (256K x 8)
• Технология: SRAM - Asynchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 10ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 10ns
• Интерфейс: Parallel