• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 100-LQFP
• Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
• Напряжение питания: 3.135V ~ 3.6V
• Объем памяти: 18Mb (512K x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 133MHz
• Время доступа: 6.5ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 119-BGA
• Тип корпуса: 119-PBGA (14x22)
• Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
• Объем памяти: 4.5Mb (128K x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 133MHz
• Время доступа: 4.2ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 80-LQFP
• Тип корпуса: 80-TQFP (14x14)
• Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
• Объем памяти: 144Kb (16K x 9)
• Технология: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 25ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 25ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
• Тип корпуса: 32-SOJ
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 1Mb (128K x 8)
• Технология: SRAM - Asynchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 12ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 12ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 165-LBGA
• Тип корпуса: 165-FBGA (13x15)
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
• Объем памяти: 36Mb (4M x 9)
• Технология: SRAM - Synchronous, QDR II+
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 333MHz
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
• Тип корпуса: 28-TSOP I
• Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
• Объем памяти: 256Kb (32K x 8)
• Технология: SRAM - Asynchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 45ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 45ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 100-LQFP
• Тип корпуса: 100-LQFP (14x20)
• Напряжение питания: 2.375V ~ 2.625V
• Объем памяти: 18Mb (512K x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 117MHz
• Время доступа: 7.5ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 165-TBGA
• Тип корпуса: 165-CABGA (13x15)
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
• Объем памяти: 18Mb (512K x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, DDR II
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 167MHz
• Время доступа: 8.4ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 84-BPGA
• Тип корпуса: 84-PGA (27.94x27.94)
• Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
• Объем памяти: 512Kb (64K x 8)
• Технология: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 55ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 55ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Rochester Electronics, LLC
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 100-VFBGA
• Тип корпуса: 100-VFBGA (6x6)
• Напряжение питания: 1.8V ~ 3.3V
• Объем памяти: 256Kb (16K x 16)
• Технология: SRAM - Dual Port, MoBL
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 65ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 65ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Rochester Electronics, LLC
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 165-LBGA
• Тип корпуса: 165-FBGA (13x15)
• Напряжение питания: 3.135V ~ 3.6V
• Объем памяти: 18Mb (512K x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 200MHz
• Время доступа: 3ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 100-LQFP
• Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 256Kb (32K x 8)
• Технология: SRAM - Dual Port, Synchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 7.5ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 100-LQFP
• Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
• Напряжение питания: 3.135V ~ 3.63V
• Объем памяти: 1Mb (32K x 32)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 100MHz
• Время доступа: 5ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TA)
• Package / Case: 48-DIP (0.600", 15.24mm)
• Тип корпуса: 48-SIDE BRAZED
• Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
• Объем памяти: 16Kb (2K x 8)
• Технология: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 35ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 35ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 80-LQFP
• Тип корпуса: 80-TQFP (14x14)
• Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
• Объем памяти: 72Kb (8K x 9)
• Технология: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 17ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 17ns
• Интерфейс: Parallel