Микросхемы памяти SRAM | Интегральные микросхемы

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 17205

R1WV6416RBG-7SI#B0

IC SRAM 64MBIT PARALLEL 48TFBGA

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 48-TFBGA
- Тип корпуса: 48-TFBGA (8.5x11)
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 64Mb (4M x 16, 8M x 8)
- Технология: SRAM - Asynchronous
- Тип памяти: Volatile
- Время доступа: 70ns
- Формат памяти: SRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 70ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IDT71V3556S100PFI8

IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 4.5Mb (128K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
AS7C1024B-12TCNTR

IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I

Alliance Memory, Inc.
- Производитель: Alliance Memory, Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
- Тип корпуса: 32-TSOP I
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 1Mb (128K x 8)
- Технология: SRAM - Asynchronous
- Тип памяти: Volatile
- Время доступа: 12ns
- Формат памяти: SRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 12ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IS61WV25632BLL-10BI

IC MEMORY ASYNC 90MBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 90-TFBGA
- Тип корпуса: 90-TFBGA (8x13)
- Напряжение питания: 2.4V ~ 3.6V
- Объем памяти: 8Mb (256K x 32)
- Технология: SRAM - Asynchronous
- Тип памяти: Volatile
- Время доступа: 10ns
- Формат памяти: SRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 10ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CY7C1351B-100BGCT

ZBT SRAM, 128KX36, 8.5NS

Cypress Semiconductor Corp
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 119-BGA
- Тип корпуса: 119-PBGA (14x22)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 4.5Mb (128K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 8.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IS62WV5128EBLL-45BLI-TR

IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 36-TFBGA
- Тип корпуса: 36-TFBGA (6x8)
- Напряжение питания: 2.2V ~ 3.6V
- Объем памяти: 4Mb (512K x 8)
- Технология: SRAM - Asynchronous
- Тип памяти: Volatile
- Время доступа: 45ns
- Формат памяти: SRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 45ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CY7C1570KV18-500BZXI

DDR SRAM, 2MX36, 0.45NS

Rochester Electronics, LLC
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 165-LBGA
- Тип корпуса: 165-FBGA (13x15)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 72Mb (2M x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, DDR II
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 500MHz
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CY7C1011CV33-10BVI

STANDARD SRAM, 128KX16

Cypress Semiconductor Corp
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 48-VFBGA
- Тип корпуса: 48-VFBGA (6x8)
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 2Mb (128K x 16)
- Технология: SRAM - Asynchronous
- Тип памяти: Volatile
- Время доступа: 10ns
- Формат памяти: SRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 10ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MT58L128L36P1T-4.4

IC SRAM 4MBIT PARALLEL 100TQFP

Micron Technology Inc.
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Серия: SYNCBURST™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x20.1)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.6V
- Объем памяти: 4Mb (128K x 36)
- Технология: SRAM
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 225 MHz
- Время доступа: 2.6ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CY7C1370DV25-167AXCT

IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP

Cypress Semiconductor Corp
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Серия: NoBL™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x20)
- Напряжение питания: 2.375V ~ 2.625V
- Объем памяти: 18Mb (512K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 167MHz
- Время доступа: 3.4ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
71V016SA12PH

IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II

IDT, Integrated Device Technology Inc
- Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 44-TSOP II
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 1Mb (64K x 16)
- Технология: SRAM - Asynchronous
- Тип памяти: Volatile
- Время доступа: 12ns
- Формат памяти: SRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 12ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
709279L12PFGI8

IC SRAM 512KBIT PARALLEL 100TQFP

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 512Kb (32K x 16)
- Технология: SRAM - Dual Port, Synchronous
- Тип памяти: Volatile
- Время доступа: 12ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CY62256LL-70SNXI

STANDARD SRAM, 32KX8, 70NS

Rochester Electronics, LLC
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Серия: MoBL®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
- Тип корпуса: 28-SOIC
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 256Kb (32K x 8)
- Технология: SRAM - Asynchronous
- Тип памяти: Volatile
- Время доступа: 70ns
- Формат памяти: SRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 70ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IDT71024S15TY8

IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
- Тип корпуса: 32-SOJ
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 1Mb (128K x 8)
- Технология: SRAM - Asynchronous
- Тип памяти: Volatile
- Время доступа: 15ns
- Формат памяти: SRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
AS7C316098B-10TINTR

IC SRAM 16MBIT PAR 54TSOP II

Alliance Memory, Inc.
- Производитель: Alliance Memory, Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 54-TSOP II
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 16Mb (1M x 16)
- Технология: SRAM - Asynchronous
- Тип памяти: Volatile
- Время доступа: 10ns
- Формат памяти: SRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 10ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: