• Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 48-VFBGA
• Тип корпуса: 48-VFBGA (6x8)
• Напряжение питания: 2.2V ~ 3.6V
• Объем памяти: 8Mb (512K x 16)
• Технология: SRAM - Asynchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 45ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 45ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 68-LCC (J-Lead)
• Тип корпуса: 68-PLCC (24.21x24.21)
• Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
• Объем памяти: 256Kb (32K x 8)
• Технология: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 20ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 20ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 52-LCC (J-Lead)
• Тип корпуса: 52-PLCC (19.13x19.13)
• Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
• Объем памяти: 32Kb (4K x 8)
• Технология: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 35ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 35ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Серия: MoBL®
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 48-TFBGA
• Тип корпуса: 48-FBGA (8x9.5)
• Напряжение питания: 2.2V ~ 3.6V
• Объем памяти: 32Mb (2M x 16)
• Технология: SRAM - Asynchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 70ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 70ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 100-LQFP
• Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
• Напряжение питания: 3.135V ~ 3.6V
• Объем памяти: 4.5Mb (128K x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 133MHz
• Время доступа: 4ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 20-DIP (0.300", 7.62mm)
• Тип корпуса: 20-DIP
• Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
• Объем памяти: 16Kb (16K x 1)
• Технология: SRAM - Standard
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 15ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 15ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 100-LQFP
• Тип корпуса: 100-TQFP (14x20)
• Напряжение питания: 3.135V ~ 3.6V
• Объем памяти: 36Mb (1M x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 167MHz
• Время доступа: 3.4ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Harris Corporation
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TA)
• Package / Case: 20-CDIP (0.300", 7.62mm)
• Тип корпуса: 20-CERDIP
• Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
• Объем памяти: 16Kb (16K x 1)
• Технология: SRAM - Synchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 70ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 70ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 172-LBGA
• Тип корпуса: 172-FBGA (15x15)
• Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
• Объем памяти: 9Mb (256K x 36)
• Технология: SRAM - Dual Port, Synchronous
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 133MHz
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 256-LBGA
• Тип корпуса: 256-CABGA (17x17)
• Напряжение питания: 3.15V ~ 3.45V
• Объем памяти: 1.125Mb (32K x 36)
• Технология: SRAM - Dual Port, Synchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 5ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Alliance Memory, Inc.
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 28-DIP (0.300", 7.62mm)
• Тип корпуса: 28-PDIP
• Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
• Объем памяти: 64Kb (8K x 8)
• Технология: SRAM - Asynchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 15ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 15ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TA)
• Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Тип корпуса: 44-TSOP II
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 8Mb (512K x 16)
• Технология: SRAM
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 15ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 15ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: GSI Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 100°C (TJ)
• Package / Case: 165-LBGA
• Тип корпуса: 165-FPBGA (15x13)
• Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 288Mb (8M x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, ZBT
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 250MHz
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 100-LQFP
• Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
• Напряжение питания: 3.135V ~ 3.63V
• Объем памяти: 2Mb (64K x 32)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 66MHz
• Время доступа: 7ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TA)
• Package / Case: 48-TFBGA
• Тип корпуса: 48-FBGA (6x8)
• Напряжение питания: 2.2V ~ 3.6V
• Объем памяти: 2Mb (128K x 16)
• Технология: SRAM - Asynchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 10ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 10ns
• Интерфейс: Parallel