• Производитель: Everspin Technologies Inc.
• Серия: Automotive, AEC-Q100
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TA)
• Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Тип корпуса: 54-TSOP2
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 32Mb (2M x 16)
• Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM)
• Тип памяти: Non-Volatile
• Время доступа: 45ns
• Формат памяти: RAM
• Время цикла записи - слово, страница: 45ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 80-LQFP
• Тип корпуса: 80-TQFP (14x14)
• Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
• Объем памяти: 128Kb (8K x 16)
• Технология: SARAM
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 25ns
• Формат памяти: RAM
• Время цикла записи - слово, страница: 25ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
• Package / Case: 180-TFBGA
• Тип корпуса: 180-FBGA (12x14)
• Напряжение питания: 1.21V ~ 1.29V
• Объем памяти: 8Gb (256M x 32)
• Технология: SGRAM - GDDR6
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 1.5GHz
• Формат памяти: RAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Everspin Technologies Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TA)
• Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Тип корпуса: 54-TSOP2
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 16Mb (1M x 16)
• Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM)
• Тип памяти: Non-Volatile
• Время доступа: 45ns
• Формат памяти: RAM
• Время цикла записи - слово, страница: 45ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Everspin Technologies Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Тип корпуса: 44-TSOP2
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 256Kb (32K x 8)
• Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM)
• Тип памяти: Non-Volatile
• Время доступа: 35ns
• Формат памяти: RAM
• Время цикла записи - слово, страница: 35ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 80-LQFP
• Тип корпуса: 80-TQFP (14x14)
• Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
• Объем памяти: 64Kb (4K x 16)
• Технология: SARAM
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 25ns
• Формат памяти: RAM
• Время цикла записи - слово, страница: 25ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 80-LQFP
• Тип корпуса: 80-TQFP (14x14)
• Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
• Объем памяти: 128Kb (8K x 16)
• Технология: SARAM
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 20ns
• Формат памяти: RAM
• Время цикла записи - слово, страница: 20ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Advanced Micro Devices
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TA)
• Package / Case: 16-CFlatPack
• Тип корпуса: 16-CFlatPack
• Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
• Объем памяти: 64b (16 x 4)
• Технология: RAM
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 30ns
• Формат памяти: RAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 80-LQFP
• Тип корпуса: 80-TQFP (14x14)
• Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
• Объем памяти: 128Kb (8K x 16)
• Технология: SARAM
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 25ns
• Формат памяти: RAM
• Время цикла записи - слово, страница: 25ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 105°C
• Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
• Напряжение питания: 1.71V ~ 2V
• Объем памяти: 16Mb (4M x 4)
• Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM)
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 108MHz
• Формат памяти: RAM

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 80-LQFP
• Тип корпуса: 80-TQFP (14x14)
• Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
• Объем памяти: 128Kb (8K x 16)
• Технология: SARAM
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 20ns
• Формат памяти: RAM
• Время цикла записи - слово, страница: 20ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 105°C
• Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
• Тип корпуса: 8-SOIC
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Объем памяти: 16Mb (4M x 4)
• Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM)
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 54MHz
• Формат памяти: RAM

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
• Package / Case: 170-TFBGA
• Тип корпуса: 170-FBGA (12x14)
• Напряжение питания: 1.31V ~ 1.39V, 1.46V ~ 1.55V
• Объем памяти: 8Gb (256M x 32)
• Технология: SGRAM - GDDR5
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 1.5GHz
• Формат памяти: RAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 80-LQFP
• Тип корпуса: 80-TQFP (14x14)
• Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
• Объем памяти: 64Kb (4K x 16)
• Технология: SARAM
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 20ns
• Формат памяти: RAM
• Время цикла записи - слово, страница: 20ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 105°C
• Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
• Тип корпуса: 8-SOIC
• Напряжение питания: 1.71V ~ 2V
• Объем памяти: 4Mb (1M x 4)
• Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM)
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 108MHz
• Формат памяти: RAM