• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 84-BPGA
• Тип корпуса: 84-PGA (27.94x27.94)
• Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
• Объем памяти: 128Kb (8K x 16)
• Технология: SARAM
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 25ns
• Формат памяти: RAM
• Время цикла записи - слово, страница: 25ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Everspin Technologies Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• Тип корпуса: 32-SOIC
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 1Mb (128K x 8)
• Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM)
• Тип памяти: Non-Volatile
• Время доступа: 35ns
• Формат памяти: RAM
• Время цикла записи - слово, страница: 35ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Advanced Micro Devices
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TA)
• Package / Case: 28-CLCC
• Тип корпуса: 28-CLCC
• Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
• Объем памяти: 1Kb (256 x 4)
• Технология: RAM
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 55ns
• Формат памяти: RAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 80-LQFP
• Тип корпуса: 80-TQFP (14x14)
• Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
• Объем памяти: 64Kb (4K x 16)
• Технология: SARAM
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 20ns
• Формат памяти: RAM
• Время цикла записи - слово, страница: 20ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Advanced Micro Devices
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 16-DIP
• Тип корпуса: 16-PDIP
• Напряжение питания: 4.75V ~ 5.25V
• Объем памяти: 64b (16 x 4)
• Технология: RAM
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 15ns
• Формат памяти: RAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Everspin Technologies Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Тип корпуса: 44-TSOP2
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 4Mb (512K x 8)
• Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM)
• Тип памяти: Non-Volatile
• Время доступа: 35ns
• Формат памяти: RAM
• Время цикла записи - слово, страница: 35ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Advanced Micro Devices
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 22-DIP
• Тип корпуса: 22-PDIP
• Напряжение питания: 4.75V ~ 5.25V
• Объем памяти: 1Kb (256 x 4)
• Технология: RAM
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 45ns
• Формат памяти: RAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Everspin Technologies Inc.
• Серия: Automotive, AEC-Q100
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 48-LFBGA
• Тип корпуса: 48-FBGA (10x10)
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 32Mb (2M x 16)
• Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM)
• Тип памяти: Non-Volatile
• Время доступа: 35ns
• Формат памяти: RAM
• Время цикла записи - слово, страница: 35ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
• Package / Case: 170-TFBGA
• Тип корпуса: 170-FBGA (12x14)
• Напряжение питания: 1.31V ~ 1.65V
• Объем памяти: 4Gb (128M x 32)
• Технология: SGRAM - GDDR5
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 1.25GHz
• Формат памяти: RAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
• Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
• Тип корпуса: 8-SOIC
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Объем памяти: 16Mb (4M x 4)
• Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM)
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 54MHz
• Формат памяти: RAM
• Интерфейс: SPI

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
• Package / Case: 48-LFBGA
• Тип корпуса: 48-FBGA (10x10)
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Объем памяти: 4Mb (256K x 16)
• Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM)
• Тип памяти: Non-Volatile
• Время доступа: 45ns
• Формат памяти: RAM
• Время цикла записи - слово, страница: 45ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
• Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
• Тип корпуса: 8-SOIC
• Напряжение питания: 1.71V ~ 2V
• Объем памяти: 4Mb (1M x 4)
• Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM)
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 108MHz
• Формат памяти: RAM
• Интерфейс: SPI

• Производитель: Everspin Technologies Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• Тип корпуса: 32-SOIC
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 256Kb (32K x 8)
• Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM)
• Тип памяти: Non-Volatile
• Время доступа: 35ns
• Формат памяти: RAM
• Время цикла записи - слово, страница: 35ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
• Package / Case: 170-TFBGA
• Тип корпуса: 170-FBGA (12x14)
• Объем памяти: 4Gb (128M x 32)
• Технология: SGRAM - GDDR5
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 1.5GHz
• Формат памяти: RAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 105°C
• Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Объем памяти: 16Mb (4M x 4)
• Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM)
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 108MHz
• Формат памяти: RAM