Микросхемы памяти NVSRAM | Интегральные микросхемы

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 1330

CY14E256LA-SZ45XI

IC NVSRAM 256KBIT PAR 32SOIC

Cypress Semiconductor Corp
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
- Тип корпуса: 32-SOIC
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 256Kb (32K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 45ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 45ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
5962-9459903MXA

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28CDIP

Cypress Semiconductor Corp
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TA)
- Package / Case: 28-CDIP (0.300", 7.62mm)
- Тип корпуса: 28-CDIP
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 64Kb (8K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 35ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 35ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DS1245W-100

DS1245 3.3V 1024K NV SRAM

Rochester Electronics, LLC
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
- Тип корпуса: 32-EDIP
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 1Mb (128K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 100ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 100ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DS1265Y-100

IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP

Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- Производитель: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 36-DIP Module (0.610", 15.49mm)
- Тип корпуса: 36-EDIP
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 8Mb (1M x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 100ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 100ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DS1230W-100IND

IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- Производитель: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
- Тип корпуса: 28-EDIP
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 256Kb (32K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 100ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 100ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DS1230AB-100+

IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- Производитель: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
- Тип корпуса: 28-EDIP
- Напряжение питания: 4.75V ~ 5.25V
- Объем памяти: 256Kb (32K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 100ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 100ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
STK11C88-SF45I

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28SOIC

Cypress Semiconductor Corp
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
- Тип корпуса: 28-SOIC
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 256Kb (32K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 45ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 45ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
STK14C88-3NF45ITR

IC NVSRAM 256KBIT PAR 32SOIC

Cypress Semiconductor Corp
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
- Тип корпуса: 32-SOIC
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 256Kb (32K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 45ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 45ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CY14E512Q1A-SXIT

IC NVSRAM 512KBIT SPI 8SOIC

Cypress Semiconductor Corp
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 512Kb (64K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 40MHz
- Формат памяти: NVSRAM
- Интерфейс: SPI
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
BQ4017YMC-70

IC NVSRAM 16MBIT PAR 36DIP MOD

Benchmarq
- Производитель: Benchmarq
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 36-DIP Module (0.610", 15.49mm)
- Тип корпуса: 36-DIP Module
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 16Mb (2M x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 70ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 70ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CY14V101Q3-SFXIT

IC NVSRAM 1MBIT SPI 30MHZ 16SOIC

Cypress Semiconductor Corp
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
- Тип корпуса: 16-SOIC
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 1Mb (128K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 30MHz
- Формат памяти: NVSRAM
- Интерфейс: SPI
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DS1345BL-100

IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 34LPM

Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- Производитель: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 34-LPM
- Тип корпуса: 34-LPM
- Напряжение питания: 4.75V ~ 5.25V
- Объем памяти: 1Mb (128K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 100ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 100ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DS1345ABP-70

NV SRAM WITH BATTERY MONITOR

Rochester Electronics, LLC
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 34-PowerCap™ Module
- Тип корпуса: 34-PowerCap Module
- Напряжение питания: 4.75V ~ 5.25V
- Объем памяти: 1Mb (128K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 70ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 70ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CY14B116N-BZ25XI

NO WARRANTY

Cypress Semiconductor Corp
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 165-LBGA
- Тип корпуса: 165-FBGA (15x17)
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 16Mb (1M x 16)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 25ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 25ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
STK11C88-SF45

IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC

Cypress Semiconductor Corp
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
- Тип корпуса: 28-SOIC
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 256Kb (32K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 45ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 45ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: