Микросхемы памяти NVSRAM | Интегральные микросхемы

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 1330

5962-9232404MYA

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28LCC

Cypress Semiconductor Corp
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TA)
- Package / Case: 28-LCC
- Тип корпуса: 28-LCC (13.97x8.89)
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 64Kb (8K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 55ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 55ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CY14B104M-ZSP45XI

IC NVSRAM 4MBIT PAR 54TSOP II

Cypress Semiconductor Corp
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 54-TSOP II
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 4Mb (256K x 16)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 45ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 45ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DS1258AB-70#

IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP

Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- Производитель: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm)
- Тип корпуса: 40-EDIP
- Напряжение питания: 4.75V ~ 5.25V
- Объем памяти: 2Mb (128K x 16)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 70ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 70ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DS1270W-150#

IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP

Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- Производитель: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 36-DIP Module (0.610", 15.49mm)
- Тип корпуса: 36-EDIP
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 16Mb (2M x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 150ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 150ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CY14B101K-SP35XCT

IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48SSOP

Cypress Semiconductor Corp
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
- Тип корпуса: 48-SSOP
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 1Mb (128K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 35ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 35ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CY14B104NA-ZS45XE

IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II

Cypress Semiconductor Corp
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TA)
- Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 44-TSOP II
- Напряжение питания: 3V ~ 3.63V
- Объем памяти: 4Mb (256K x 16)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 45ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 45ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CY14V104NA-BA45XI

IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA

Cypress Semiconductor Corp
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 48-TFBGA
- Тип корпуса: 48-FBGA (6x10)
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 4Mb (256K x 16)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 45ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 45ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CY14B104L-ZS25XCT

IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II

Cypress Semiconductor Corp
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 44-TSOP II
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 4Mb (512K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 25ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 25ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DS1245Y-70IND

IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP

Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- Производитель: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
- Тип корпуса: 32-EDIP
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 1Mb (128K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 70ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 70ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CY14B116N-BA25XIT

IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 60FBGA

Cypress Semiconductor Corp
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 60-LFBGA
- Тип корпуса: 60-FBGA (10x18)
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 16Mb (1M x 16)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 25ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 25ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DS1245WP-100+

IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP

Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- Производитель: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 34-PowerCap™ Module
- Тип корпуса: 34-PowerCap Module
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 1Mb (128K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 100ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 100ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
STK11C68-5L55M

NV SRAM, 8KX8, 55NS, CQCC28

Rochester Electronics, LLC
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TA)
- Package / Case: 28-LCC
- Тип корпуса: 28-LCC (13.97x8.89)
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 64Kb (8K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 55ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 55ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CY14B101P-SFXIT

NV SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16

Rochester Electronics, LLC
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
- Тип корпуса: 16-SOIC
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 1Mb (128K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 40MHz
- Формат памяти: NVSRAM
- Интерфейс: SPI
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
STK12C68-WF45I

IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP

Cypress Semiconductor Corp
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 28-DIP (0.600", 15.24mm)
- Тип корпуса: 28-PDIP
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 64Kb (8K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 45ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 45ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DS1330WP-150

NV SRAM WITH BATTERY MONITOR

Rochester Electronics, LLC
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 34-PowerCap™ Module
- Тип корпуса: 34-PowerCap Module
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 256Kb (32K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 150ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 150ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: