- Формат памяти
- Тактовая частота
- Тип памяти
- Объем памяти
-
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Package / Case
- Время доступа
- Интерфейс
- Время цикла записи - слово, страница
- Серия
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
- Тип корпуса: 32-SOIC
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 256Kb (32K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 35ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 35ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
- Тип корпуса: 28-SOIC
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 256Kb (32K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 45ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 45ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 48-TFBGA
- Тип корпуса: 48-FBGA (6x10)
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 1Mb (128K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 45ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 45ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
- Тип корпуса: 32-SOIC
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 256Kb (32K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 35ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 35ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
- Тип корпуса: 32-SOIC
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 256Kb (32K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 45ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 45ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 1Mb (128K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 3.4MHz
- Формат памяти: NVSRAM
- Интерфейс: I²C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Simtek
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 28-CDIP (0.300", 7.62mm)
- Тип корпуса: 28-CDIP
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 64Kb (8K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 45ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 45ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 28-LCC
- Тип корпуса: 28-LCC (13.97x8.89)
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 64Kb (8K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 35ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 35ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Texas Instruments
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 32-DIP Module (0.610", 15.49mm)
- Тип корпуса: 32-DIP Module (18.42x42.8)
- Напряжение питания: 4.75V ~ 5.5V
- Объем памяти: 1Mb (128K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 120ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 120ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Simtek
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 32-DIP (0.600", 15.24mm)
- Тип корпуса: 32-PDIP
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 256Kb (32K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 45ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 45ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Texas Instruments
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
- Тип корпуса: 28-DIP Module (18.42x37.72)
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 256Kb (32K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 100ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 100ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 44-TSOP II
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 4Mb (256K x 16)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 20ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 20ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 32-CLCC
- Тип корпуса: 32-LCC (13.97x11.43)
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 256Kb (32K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 45ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 45ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 256b (16 x 16)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 1MHz
- Формат памяти: NVSRAM
- Интерфейс: SPI
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 48-TFBGA
- Тип корпуса: 48-FBGA (6x10)
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 1Mb (64K x 16)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 45ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 45ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100