• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 153-VFBGA
• Тип корпуса: 153-VFBGA
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
• Объем памяти: 2Gb (256M x 8)(NAND), 1Gb (64M x 16)(LPDRAM)
• Технология: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 200MHz
• Формат памяти: FLASH, RAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 130-VFBGA
• Тип корпуса: 130-VFBGA (8x9)
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
• Объем памяти: 1Gb (64M x 16)(NAND), 256Mb (8M x 32)(LPDRAM)
• Технология: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 200MHz
• Формат памяти: FLASH, RAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Серия: VS-R
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -25°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 56-VFBGA
• Тип корпуса: 56-VFRBGA (7.7x6.2)
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
• Объем памяти: 128MB Flash, 64MB RAM
• Технология: FLASH, PSRAM
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 108MHz
• Формат памяти: FLASH, RAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 107-TFBGA
• Тип корпуса: 107-TFBGA
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
• Объем памяти: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDRAM)
• Технология: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 200MHz
• Формат памяти: FLASH, RAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 168-VFBGA
• Тип корпуса: 168-VFBGA (12x12)
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
• Объем памяти: 8Gb (512M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
• Технология: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 200MHz
• Формат памяти: FLASH, RAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 107-TFBGA
• Тип корпуса: 107-TFBGA
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
• Объем памяти: 1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM)
• Технология: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 200MHz
• Формат памяти: FLASH, RAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 149-WFBGA
• Тип корпуса: 149-WFBGA (8x9.5)
• Напряжение питания: 1.8V
• Объем памяти: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR4)
• Технология: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR4
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 1866MHz
• Формат памяти: FLASH, RAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 168-VFBGA
• Тип корпуса: 168-VFBGA (12x12)
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
• Объем памяти: 8Gb (512M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
• Технология: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 200MHz
• Формат памяти: FLASH, RAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 153-VFBGA
• Тип корпуса: 153-VFBGA
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
• Объем памяти: 1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM)
• Технология: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 200MHz
• Формат памяти: FLASH, RAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 130-VFBGA
• Тип корпуса: 130-VFBGA (8x9)
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
• Объем памяти: 2Gb (128M x 16)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM)
• Технология: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 200MHz
• Формат памяти: FLASH, RAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 133-VFBGA
• Тип корпуса: 133-VFBGA (8x8)
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
• Объем памяти: 256Mb (16M x 16), 512M (32M x 16)
• Технология: FLASH - NOR, Mobile LPDDR SDRAM
• Тип памяти: Non-Volatile
• Время доступа: 70ns
• Формат памяти: FLASH, RAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 149-WFBGA
• Тип корпуса: 149-WFBGA (8x9.5)
• Напряжение питания: 1.8V
• Объем памяти: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR4)
• Технология: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR4
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 1866MHz
• Формат памяти: FLASH, RAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 107-TFBGA
• Тип корпуса: 107-TFBGA
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
• Объем памяти: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDRAM)
• Технология: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 200MHz
• Формат памяти: FLASH, RAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Intel
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -25°C ~ 85°C (TC)
• Package / Case: 66-LFBGA, CSPBGA
• Тип корпуса: 66-SCSP (8x14)
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.3V
• Объем памяти: 32Mb Flash, 8Mb RAM
• Технология: FLASH, SRAM
• Тип памяти: Non-Volatile
• Время доступа: 70ns
• Формат памяти: FLASH, RAM
• Время цикла записи - слово, страница: 70ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
• Объем памяти: 8Gb (512M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDRAM)
• Технология: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 208MHz
• Формат памяти: FLASH, RAM
• Интерфейс: Parallel