- Формат памяти
- Тактовая частота
- Тип памяти
- Объем памяти
-
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Package / Case
- Время доступа
- Интерфейс
- Время цикла записи - слово, страница
- Серия
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 84-TFBGA
- Тип корпуса: 84-TWBGA (8x12.5)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR2
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 400MHz
- Время доступа: 400ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 96-TFBGA
- Тип корпуса: 96-FBGA (10x14)
- Напряжение питания: 1.283V ~ 1.45V
- Объем памяти: 8Gb (512M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR3L
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 800MHz
- Время доступа: 13.5ns
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TC)
- Package / Case: 216-WFBGA
- Тип корпуса: 216-FBGA (12x12)
- Напряжение питания: 1.14V ~ 1.95V
- Объем памяти: 8Gb (128M x 64)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR2
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 533MHz
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 54-TFBGA
- Тип корпуса: 54-TFBGA (8x8)
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
- Технология: SDRAM
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 5.4ns
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 84-TFBGA
- Тип корпуса: 84-FBGA (8x12.5)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 1Gb (64M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR2
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 333MHz
- Время доступа: 450ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 86-TSOP II
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (4M x 32)
- Технология: SDRAM
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 143MHz
- Время доступа: 5.4ns
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 66-TSOP II
- Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
- Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 700ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 42-SOJ
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 16Mb (1M x 16)
- Технология: DRAM - FP
- Тип памяти: Volatile
- Время доступа: 30ns
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 66-TSOP II
- Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
- Объем памяти: 512Mb (64M x 8)
- Технология: SDRAM - DDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 700ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alliance Memory, Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 54-TSOP II
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
- Технология: SDRAM
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 133MHz
- Время доступа: 5.4ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alliance Memory, Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 96-TFBGA
- Тип корпуса: 96-FBGA (9x13)
- Напряжение питания: 1.425V ~ 1.575V
- Объем памяти: 1Gb (64M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR3
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 800MHz
- Время доступа: 20ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 90-VFBGA
- Тип корпуса: 90-VFBGA (9x13)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 2Gb (64M x 32)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 200MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -30°C ~ 85°C (TC)
- Package / Case: 432-VFBGA
- Тип корпуса: 432-VFBGA (15x15)
- Напряжение питания: 1.1V
- Объем памяти: 32Gb (512M x 64)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR4
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1600MHz
- Формат памяти: DRAM
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Серия: Automotive, AEC-Q100
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TC)
- Package / Case: 96-TFBGA
- Тип корпуса: 96-TWBGA (9x13)
- Напряжение питания: 1.425V ~ 1.575V
- Объем памяти: 1Gb (64M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR3
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 933MHz
- Время доступа: 20ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 144-TFBGA
- Тип корпуса: 144-µBGA (18.5x11)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 576Mb (64M x 9)
- Технология: DRAM
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 400MHz
- Время доступа: 15ns
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100