Микросхемы памяти DRAM | Интегральные микросхемы

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 8206

MT46V128M8P-6T:A TR

IC DRAM 1GBIT PARALLEL 66TSOP

Micron Technology Inc.
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 66-TSOP
- Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
- Объем памяти: 1Gb (128M x 8)
- Технология: SDRAM - DDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 167MHz
- Время доступа: 700ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IS43LR16800G-6BLI-TR

IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 60-TFBGA
- Тип корпуса: 60-TFBGA (8x10)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 5.5ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MT48H16M32LFCM-6:B TR

IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90VFBGA

Micron Technology Inc.
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 90-VFBGA
- Тип корпуса: 90-VFBGA (10x13)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 512Mb (16M x 32)
- Технология: SDRAM - Mobile LPSDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MT46V32M16P-6T:F

IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP

Micron Technology Inc.
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 66-TSOP
- Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
- Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 167MHz
- Время доступа: 700ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MT53B256M64D2NW-062 WT:C

IC DRAM 16GBIT 1600MHZ FBGA

Micron Technology Inc.
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Рабочая температура: -30°C ~ 85°C (TC)
- Напряжение питания: 1.1V
- Объем памяти: 16Gb (256M x 64)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR4
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.6GHz
- Формат памяти: DRAM
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MT46H128M32L2KQ-5 IT:B TR

IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA

Micron Technology Inc.
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 168-WFBGA
- Тип корпуса: 168-WFBGA (12x12)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 4Gb (128M x 32)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 200MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IS41LV16100B-50TL-TR

IC DRAM 16MBIT PAR 44TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 44-TSOP II
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 16Mb (1M x 16)
- Технология: DRAM - EDO
- Тип памяти: Volatile
- Время доступа: 25ns
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MT47H64M8CF-25E L:G TR

IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA

Micron Technology Inc.
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 85°C (TC)
- Package / Case: 60-TFBGA
- Тип корпуса: 60-FBGA (8x10)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 512Mb (64M x 8)
- Технология: SDRAM - DDR2
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 400MHz
- Время доступа: 400ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IS42SM16200C-75BLI-TR

IC DRAM 32MBIT PARALLEL 54TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 54-TFBGA
- Тип корпуса: 54-TFBGA (8x8)
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 32Mb (2M x 16)
- Технология: SDRAM - Mobile
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 133MHz
- Время доступа: 6ns
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MT48H32M16LFB4-6 AT:C

IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54VFBGA

Micron Technology Inc.
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q100
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 54-VFBGA
- Тип корпуса: 54-VFBGA (8x8)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
- Технология: SDRAM - Mobile LPSDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IS46DR16320E-25DBLA2-TR

IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TA)
- Package / Case: 84-TFBGA
- Тип корпуса: 84-TWBGA (8x12.5)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR2
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 400MHz
- Время доступа: 400ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
W9816G6JH-7 TR

16MB, SDR SDRAM, 133MHZ T&R

Winbond Electronics
- Производитель: Winbond Electronics
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 50-TSOP II
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 16Mb (1M x 16)
- Технология: SDRAM
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 143MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: LVTTL
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
EM6HC16EWKG-10H

IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA

Etron Technology, Inc.
- Производитель: Etron Technology, Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 96-VFBGA
- Тип корпуса: 96-FBGA (8x13)
- Напряжение питания: 1.283V ~ 1.45V
- Объем памяти: 1Gb (64M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR3
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 933MHz
- Время доступа: 20ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
W632GG6KB-18

IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA

Winbond Electronics
- Производитель: Winbond Electronics
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 96-TFBGA
- Тип корпуса: 96-WBGA (9x13)
- Напряжение питания: 1.425V ~ 1.575V
- Объем памяти: 2Gb (128M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR3
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 533MHz
- Время доступа: 20ns
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MT53D1024M32D4DT-046 WT:D

IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 200VFBGA

Micron Technology Inc.
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -30°C ~ 85°C (TC)
- Package / Case: 200-VFBGA
- Тип корпуса: 200-VFBGA (10x14.5)
- Напряжение питания: 1.1V
- Объем памяти: 32Gb (1G x 32)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR4
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 2.133GHz
- Формат памяти: DRAM
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: