• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Тип корпуса: 66-TSOP
• Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
• Объем памяти: 256Mb (32M x 8)
• Технология: SDRAM - DDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 167MHz
• Время доступа: 700ps
• Формат памяти: DRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 15ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Серия: Automotive, AEC-Q100
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 54-VFBGA
• Тип корпуса: 54-VFBGA (8x8)
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
• Технология: SDRAM
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 167MHz
• Время доступа: 5.4ns
• Формат памяти: DRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 12ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Тип корпуса: 54-TSOP II
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 256Mb (32M x 8)
• Технология: SDRAM
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 167MHz
• Время доступа: 5.4ns
• Формат памяти: DRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 12ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Серия: NoBL™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 165-LBGA
• Тип корпуса: 165-FBGA (15x17)
• Напряжение питания: 2.375V ~ 2.625V
• Объем памяти: 72Mb (2M x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 167MHz
• Время доступа: 3.4ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 165-LBGA
• Тип корпуса: 165-FBGA (15x17)
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
• Объем памяти: 72Mb (4M x 18)
• Технология: SRAM - Synchronous, DDR II
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 167MHz
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Серия: NoBL™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 100-LQFP
• Тип корпуса: 100-TQFP (14x20)
• Напряжение питания: 3.135V ~ 3.6V
• Объем памяти: 18Mb (512K x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 167MHz
• Время доступа: 3.4ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 100-LQFP
• Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
• Напряжение питания: 2.375V ~ 2.625V
• Объем памяти: 18Mb (512K x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 167MHz
• Время доступа: 3.4ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 165-LBGA
• Тип корпуса: 165-FBGA (15x17)
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
• Объем памяти: 36Mb (1M x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, QDR II+
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 167MHz
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 165-TBGA
• Тип корпуса: 165-CABGA (13x15)
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
• Объем памяти: 18Mb (1M x 18)
• Технология: SRAM - Synchronous, DDR II
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 167MHz
• Время доступа: 8.4ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Rochester Electronics, LLC
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 165-LBGA
• Тип корпуса: 165-FBGA (15x17)
• Напряжение питания: 3.135V ~ 3.6V
• Объем памяти: 36Mb (1M x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 167MHz
• Время доступа: 3.4ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 60-TFBGA
• Тип корпуса: 60-FBGA (10x12.5)
• Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
• Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
• Технология: SDRAM - DDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 167MHz
• Время доступа: 700ps
• Формат памяти: DRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 15ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 165-LBGA
• Тип корпуса: 165-FBGA (15x17)
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
• Объем памяти: 72Mb (2M x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, QDR II+
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 167MHz
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Тип корпуса: 132-TBGA (12x18)
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Объем памяти: 256Gb (32G x 8)
• Технология: FLASH - NAND (MLC)
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 167MHz
• Формат памяти: FLASH
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Тип корпуса: 54-TSOP II
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
• Технология: SDRAM
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 167MHz
• Время доступа: 5.4ns
• Формат памяти: DRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 12ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 272-LFBGA
• Тип корпуса: 272-LFBGA (14x18)
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Объем памяти: 2Tb (256G x 8)
• Технология: FLASH - NAND
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 167MHz
• Формат памяти: FLASH
• Интерфейс: Parallel