• Производитель: Rochester Electronics, LLC
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 165-LBGA
• Тип корпуса: 165-FBGA (15x17)
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
• Объем памяти: 72Mb (4M x 18)
• Технология: SRAM - Synchronous, QDR II+
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 167MHz
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Серия: Automotive, AEC-Q100
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 90-VFBGA
• Тип корпуса: 90-VFBGA (8x13)
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 128Mb (4M x 32)
• Технология: SDRAM
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 167MHz
• Время доступа: 5.4ns
• Формат памяти: DRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 12ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Серия: NoBL™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 165-LBGA
• Тип корпуса: 165-FBGA (15x17)
• Напряжение питания: 3.135V ~ 3.6V
• Объем памяти: 72Mb (2M x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 167MHz
• Время доступа: 3.4ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Тип корпуса: 66-TSOP
• Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
• Объем памяти: 1Gb (64M x 16)
• Технология: SDRAM - DDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 167MHz
• Время доступа: 700ps
• Формат памяти: DRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 15ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 165-TBGA
• Тип корпуса: 165-CABGA (13x15)
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
• Объем памяти: 18Mb (512K x 36)
• Технология: SRAM - DDR2
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 167MHz
• Время доступа: 8.4ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Rochester Electronics, LLC
• Серия: NoBL™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 165-LBGA
• Тип корпуса: 165-FBGA (15x17)
• Напряжение питания: 2.375V ~ 2.625V
• Объем памяти: 36Mb (1M x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 167MHz
• Время доступа: 3.4ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Серия: NoBL™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 209-BGA
• Тип корпуса: 209-FBGA (14x22)
• Напряжение питания: 2.375V ~ 2.625V
• Объем памяти: 72Mb (1M x 72)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 167MHz
• Время доступа: 3.4ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Rochester Electronics, LLC
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 484-FBGA
• Тип корпуса: 484-FBGA (23x23)
• Напряжение питания: 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
• Объем памяти: 18Mb (256K x 72)
• Технология: SRAM - Dual Port, Synchronous
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 167MHz
• Время доступа: 4ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 100-LQFP
• Тип корпуса: 100-TQFP (14x20)
• Напряжение питания: 3.135V ~ 3.6V
• Объем памяти: 18Mb (512K x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 167MHz
• Время доступа: 3.4ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 165-TBGA
• Тип корпуса: 165-CABGA (13x15)
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
• Объем памяти: 18Mb (1M x 18)
• Технология: SRAM - Synchronous, DDR II
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 167MHz
• Время доступа: 8.4ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 90-VFBGA
• Тип корпуса: 90-VFBGA (8x13)
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 128Mb (4M x 32)
• Технология: SDRAM
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 167MHz
• Время доступа: 5.5ns
• Формат памяти: DRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 12ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Тип корпуса: 86-TSOP II
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 512Mb (16M x 32)
• Технология: SDRAM
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 167MHz
• Время доступа: 5.4ns
• Формат памяти: DRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 165-LBGA
• Тип корпуса: 165-FBGA (13x15)
• Напряжение питания: 2.4V ~ 2.6V
• Объем памяти: 18Mb (1M x 18)
• Технология: SRAM - Synchronous, QDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 167MHz
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 152-VBGA
• Тип корпуса: 152-VBGA (14x18)
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Объем памяти: 256Gb (32G x 8)
• Технология: FLASH - NAND (MLC)
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 167MHz
• Формат памяти: FLASH
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 165-LBGA
• Тип корпуса: 165-FBGA (13x15)
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
• Объем памяти: 36Mb (1M x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, QDR II+
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 167MHz
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel