Микросхемы памяти FCL 166MHz | Интегральные микросхемы

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 1951

IS42S16800F-6TL

IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 54-TSOP II
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
- Технология: SDRAM
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 5.4ns
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MX25L51245GML-10G

IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOP

Macronix
- Производитель: Macronix
- Серия: MXSMIO™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
- Тип корпуса: 16-SOP
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 512Mb (64M x 8)
- Технология: FLASH - NOR
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 60µs, 750µs
- Интерфейс: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IS42S16160B-6BL-TR

IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54LFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 54-LFBGA
- Тип корпуса: 54-LFBGA (8x13)
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
- Технология: SDRAM
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 5.4ns
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IDT71V35761S166BQGI8

IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 165-TBGA
- Тип корпуса: 165-CABGA (13x15)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 4.5Mb (128K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 3.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MT29C1G12MAADAFAKD-6 IT

IC FLASH RAM 1GBIT PAR 137TFBGA

Micron Technology Inc.
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 137-TFBGA
- Тип корпуса: 137-TFBGA (10.5x13)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 1Gb (128M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM)
- Технология: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Формат памяти: FLASH, RAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IS42S16100E-6TL-TR

IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 50-TSOP II
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 16Mb (1M x 16)
- Технология: SDRAM
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 5.5ns
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MT58L128L32D1F-6

IC SRAM 4MBIT PARALLEL 165FBGA

Micron Technology Inc.
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Серия: SYNCBURST™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 165-TBGA
- Тип корпуса: 165-FBGA (13x15)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.6V
- Объем памяти: 4Mb (128K x 32)
- Технология: SRAM
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 3.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
W956D8MBYA6I

64MB HYPERRAM X8, 166MHZ, IND TE

Winbond Electronics
- Производитель: Winbond Electronics
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TC)
- Package / Case: 24-TBGA
- Тип корпуса: 24-TFBGA (6x8)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 2V
- Объем памяти: 64Mb (8M x 8)
- Технология: HyperRAM
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 36ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 36ns
- Интерфейс: HyperBus
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IS46LR32160C-6BLA1

IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 90-TFBGA
- Тип корпуса: 90-TFBGA (8x13)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 512Mb (16M x 32)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 5.5ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 12ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IS42S16100F-6TL

IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 50-TSOP II
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 16Mb (1M x 16)
- Технология: SDRAM
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 5.5ns
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
71V67603S166BQ8

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 165-TBGA
- Тип корпуса: 165-CABGA (13x15)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 9Mb (256K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 3.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IS42S16800E-6TL-TR

IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 54-TSOP II
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
- Технология: SDRAM
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 5.4ns
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CY7C1360A-166AC

CACHE SRAM, 256KX36, 3.5NS

Cypress Semiconductor Corp
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x20)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.6V
- Объем памяти: 9Mb (256K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 3.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
NDS66PT5-16ET TR

IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II

Insignis Technology Corporation
- Производитель: Insignis Technology Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 54-TSOP II
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 64Mb (4M x 16)
- Технология: SDRAM
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
71T75602S166PFG8

IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x20)
- Напряжение питания: 2.375V ~ 2.625V
- Объем памяти: 18Mb (512K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 3.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: