• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 100-LQFP
• Тип корпуса: 100-TQFP (14x20)
• Напряжение питания: 3.15V ~ 3.6V
• Объем памяти: 4.5Mb (256K x 18)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 166MHz
• Время доступа: 3.5ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 152-VBGA
• Тип корпуса: 152-VBGA (14x18)
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Объем памяти: 128Gb (16G x 8)
• Технология: FLASH - NAND
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 166MHz
• Формат памяти: FLASH
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 208-LFBGA
• Тип корпуса: 208-CABGA (15x15)
• Напряжение питания: 3.15V ~ 3.45V
• Объем памяти: 9Mb (512K x 18)
• Технология: SRAM - Dual Port, Synchronous
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 166MHz
• Время доступа: 3.6ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Серия: NoBL™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 165-LBGA
• Тип корпуса: 165-FBGA (13x15)
• Напряжение питания: 2.375V ~ 2.625V
• Объем памяти: 9Mb (256K x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 166MHz
• Время доступа: 3.5ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 256-LBGA
• Тип корпуса: 256-CABGA (17x17)
• Напряжение питания: 3.15V ~ 3.45V
• Объем памяти: 9Mb (256K x 36)
• Технология: SRAM - Dual Port, Synchronous
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 166MHz
• Время доступа: 3.6ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Winbond Electronics
• Серия: SpiFlash®
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• Тип корпуса: 16-SOIC
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Объем памяти: 512Mb (64M x 8)
• Технология: FLASH - NAND (SLC)
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 166MHz
• Время доступа: 6ns
• Формат памяти: FLASH
• Время цикла записи - слово, страница: 700µs
• Интерфейс: SPI - Quad I/O

• Производитель: Alliance Memory, Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 90-TFBGA
• Тип корпуса: 90-TFBGA (8x13)
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 128Mb (4M x 32)
• Технология: SDRAM
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 166MHz
• Время доступа: 5.4ns
• Формат памяти: DRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 2ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 90-VFBGA
• Тип корпуса: 90-VFBGA (8x13)
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
• Объем памяти: 128Mb (4M x 32)
• Технология: SDRAM - Mobile LPDDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 166MHz
• Время доступа: 5ns
• Формат памяти: DRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 15ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 256-LBGA
• Тип корпуса: 256-CABGA (17x17)
• Напряжение питания: 3.15V ~ 3.45V
• Объем памяти: 2Mb (64K x 36)
• Технология: SRAM - Dual Port, Synchronous
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 166MHz
• Время доступа: 3.6ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 54-TFBGA
• Тип корпуса: 54-TFBGA (8x8)
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
• Технология: SDRAM
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 166MHz
• Время доступа: 5.4ns
• Формат памяти: DRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Тип корпуса: 66-TSOP II
• Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
• Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
• Технология: SDRAM - DDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 166MHz
• Время доступа: 700ps
• Формат памяти: DRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 15ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Тип корпуса: 66-TSOP II
• Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
• Объем памяти: 512Mb (64M x 8)
• Технология: SDRAM - DDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 166MHz
• Время доступа: 700ps
• Формат памяти: DRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 15ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 90-VFBGA
• Тип корпуса: 90-VFBGA (9x13)
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
• Объем памяти: 2Gb (64M x 32)
• Технология: SDRAM - Mobile LPDDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 166MHz
• Время доступа: 5ns
• Формат памяти: DRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 15ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Insignis Technology Corporation
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Тип корпуса: 54-TSOP II
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
• Технология: SDRAM
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 166MHz
• Формат памяти: DRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 12ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 54-LFBGA
• Тип корпуса: 54-LFBGA (8x13)
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
• Технология: SDRAM
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 166MHz
• Время доступа: 5.4ns
• Формат памяти: DRAM
• Интерфейс: Parallel