Микросхемы памяти FCL 166MHz | Интегральные микросхемы

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 1951

IS45S32400E-6TLA1

IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 86-TSOP II
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (4M x 32)
- Технология: SDRAM
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 5.4ns
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CY7C1334H-166AXC

IC SRAM 2MBIT PARALLEL 100TQFP

Cypress Semiconductor Corp
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x20)
- Напряжение питания: 3.15V ~ 3.6V
- Объем памяти: 2Mb (64K x 32)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 3.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MT46H16M32LFCM-6 IT:B TR

IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90VFBGA

Micron Technology Inc.
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 90-VFBGA
- Тип корпуса: 90-VFBGA (10x13)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 512Mb (16M x 32)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MT58L512L18PS-6

IC SRAM 8MBIT PARALLEL 100TQFP

Micron Technology Inc.
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Серия: SYNCBURST™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x20.1)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.6V
- Объем памяти: 8Mb (512K x 18)
- Технология: SRAM - Synchronous
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 3.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IS42VM16400K-6BLI

IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 54-TFBGA
- Тип корпуса: 54-TFBGA (8x8)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 64Mb (4M x 16)
- Технология: SDRAM - Mobile
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 5.5ns
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IS43R86400D-6BLI

IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 60-TFBGA
- Тип корпуса: 60-TFBGA (8x13)
- Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
- Объем памяти: 512Mb (64M x 8)
- Технология: SDRAM - DDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 700ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IS43LR16400C-6BLI

IC DRAM 64MBIT PARALLEL 60TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 60-TFBGA
- Тип корпуса: 60-TFBGA (8x10)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 64Mb (4M x 16)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 5.5ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IS45S16400J-6BLA1-TR

IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 54-TFBGA
- Тип корпуса: 54-TFBGA (8x8)
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 64Mb (4M x 16)
- Технология: SDRAM
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 5.4ns
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IS46R16320D-6BLA1-TR

IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 60-TFBGA
- Тип корпуса: 60-TFBGA (8x13)
- Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
- Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 700ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IS42S16100E-6TL

IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 50-TSOP II
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 16Mb (1M x 16)
- Технология: SDRAM
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 5.5ns
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
71V35761S166PFG

IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 4.5Mb (128K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 3.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IS43LR16320B-6BLI

IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 60-TFBGA
- Тип корпуса: 60-TFBGA (8x10)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 5.5ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 12ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
AS4C8M16SA-6TAN

IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II

Alliance Memory, Inc.
- Производитель: Alliance Memory, Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q100
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TA)
- Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 54-TSOP II
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
- Технология: SDRAM
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 12ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IS42RM16160K-6BLI

IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 54-TFBGA
- Тип корпуса: 54-TFBGA (8x8)
- Напряжение питания: 2.3V ~ 3V
- Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
- Технология: SDRAM - Mobile
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 5.5ns
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
W25N512GVPIT

512MB SERIAL NAND FLASH, 3V

Winbond Electronics
- Производитель: Winbond Electronics
- Серия: SpiFlash®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 8-WSON (6x5)
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 512Mb (64M x 8)
- Технология: FLASH - NAND (SLC)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 7ns
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 700µs
- Интерфейс: SPI - Quad I/O
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по:

	Значение	Кол‑во
	DRAM ⇒	1078
	FLASH ⇒	225
	FLASH, RAM ⇒	26
	PSRAM ⇒	30
	RAM ⇒	4
	SRAM ⇒	588

Формат памяти (6)