Микросхемы памяти FCL 166MHz | Интегральные микросхемы

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 1951

IS42S16320B-6TL-TR

IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 54-TSOP II
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
- Технология: SDRAM
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 5.4ns
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
AS4C16M16SA-6TIN

IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

Alliance Memory, Inc.
- Производитель: Alliance Memory, Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 54-TSOP II
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
- Технология: SDRAM
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 12ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CY7C1346H-166AXCT

IC SRAM 2MBIT PARALLEL 100TQFP

Cypress Semiconductor Corp
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x20)
- Напряжение питания: 3.15V ~ 3.6V
- Объем памяти: 2Mb (64K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 3.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
S27KL0642DPBHI030

IC PSRAM 64MBIT HYPERBUS 24FBGA

Cypress Semiconductor Corp
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Серия: HyperRAM™ KL
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 24-VBGA
- Тип корпуса: 24-FBGA (6x8)
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 64Mb (8M x 8)
- Технология: PSRAM (Pseudo SRAM)
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 36ns
- Формат памяти: PSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 36ns
- Интерфейс: HyperBus
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IS42S81600E-6TLI-TR

IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 54-TSOP II
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (16M x 8)
- Технология: SDRAM
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 5.4ns
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CY7C1346S-166AXC

IC SRAM 2MBIT PARALLEL 100TQFP

Cypress Semiconductor Corp
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
- Напряжение питания: 3.15V ~ 3.6V
- Объем памяти: 2Mb (64K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 3.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IS43R16320D-6BL

IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 60-TFBGA
- Тип корпуса: 60-TFBGA (8x13)
- Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
- Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 700ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CY7C1347G-166AXIKJ

CACHE SRAM, 128KX36, 3.5NS

Cypress Semiconductor Corp
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x20)
- Напряжение питания: 3.15V ~ 3.6V
- Объем памяти: 4.5Mb (128K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 3.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
71V25761S166PFG8

IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x20)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 4.5Mb (128K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 3.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IS42S16800F-6BLI-TR

IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 54-TFBGA
- Тип корпуса: 54-TFBGA (8x8)
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
- Технология: SDRAM
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 5.4ns
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IS26KS256S-DPBLI00

THESE LOOK LIKE ISSI PARTS

Spansion
- Производитель: Spansion
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 24-VBGA
- Тип корпуса: 24-VFBGA (6x8)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 256Mb (32M x 8)
- Технология: FLASH - NOR
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 96ns
- Формат памяти: FLASH
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CY7C1364C-166BZI

IC SRAM 8MBIT PARALLEL 165FBGA

Cypress Semiconductor Corp
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 165-LBGA
- Тип корпуса: 165-FBGA (13x15)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.63V
- Объем памяти: 8Mb (256K x 32)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 3.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
70T3339S166BF8

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 208-LFBGA
- Тип корпуса: 208-CABGA (15x15)
- Напряжение питания: 2.4V ~ 2.6V
- Объем памяти: 9Mb (512K x 18)
- Технология: SRAM - Dual Port, Synchronous
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 3.6ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IDT71V25761SA166BGI

IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 119-BGA
- Тип корпуса: 119-PBGA (14x22)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 4.5Mb (128K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 3.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
70V3319S166BCG

IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 256-LBGA
- Тип корпуса: 256-CABGA (17x17)
- Напряжение питания: 3.15V ~ 3.45V
- Объем памяти: 4.5Mb (256K x 18)
- Технология: SRAM - Dual Port, Synchronous
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 3.6ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по:

	Значение	Кол‑во
	DRAM ⇒	1078
	FLASH ⇒	225
	FLASH, RAM ⇒	26
	PSRAM ⇒	30
	RAM ⇒	4
	SRAM ⇒	588

Формат памяти (6)