Найдено: 637
  • IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 60-TFBGA
    • Тип корпуса: 60-TFBGA (6.4x10.1)
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 16Mb (1M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.5ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 90-VFBGA
    • Тип корпуса: 90-VFBGA (8x13)
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 128Mb (4M x 32)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.5ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 14ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 54-TFBGA
    • Тип корпуса: 54-TFBGA (8x8)
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54TFBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 54-TFBGA
    • Тип корпуса: 54-TW-BGA (8x13)
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 54-TFBGA
    • Тип корпуса: 54-TFBGA (8x8)
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TA)
    • Package / Case: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 86-TSOP II
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 64Mb (2M x 32)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.5ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 60-TFBGA
    • Тип корпуса: 60-MiniBGA (6.4x10.1)
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 64Mb (4M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 54-VFBGA
    • Тип корпуса: 54-MiniBGA (8x13)
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TA)
    • Package / Case: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 86-TSOP II
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 128Mb (4M x 32)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 60-TFBGA
    • Тип корпуса: 60-MiniBGA (6.4x10.1)
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 64Mb (4M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 90-TFBGA
    • Тип корпуса: 90-TFBGA (8x13)
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 128Mb (4M x 32)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 64MBIT PAR 60FBGA
    Alliance Memory, Inc.
    • Производитель: Alliance Memory, Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 60-VFBGA
    • Тип корпуса: 60-FBGA
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 64Mb (4M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 2ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 86-TSOP II
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 128Mb (4M x 32)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 50-TSOP II
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 16Mb (1M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.5ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 90-TFBGA
    • Тип корпуса: 90-TFBGA (8x13)
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 128Mb (4M x 32)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: