Микросхемы памяти FCL 117MHz | Интегральные микросхемы

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 262

IS61NLF25636A-7.5B2I

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 119-BBGA
- Тип корпуса: 119-PBGA (14x22)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 9Mb (256K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 117MHz
- Время доступа: 7.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IS61VVF409618B-7.5TQL

IC SRAM 72MBIT PARALLEL 100LQFP

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-LQFP (14x20)
- Напряжение питания: 1.71V ~ 1.89V
- Объем памяти: 72Mb (4M x 18)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 117MHz
- Время доступа: 7.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IS61LF12836A-7.5TQLI

IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-LQFP (14x20)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.6V
- Объем памяти: 4.5Mb (128K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 117MHz
- Время доступа: 7.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CY7C1361B-117AJC

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

Cypress Semiconductor Corp
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x20)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.6V
- Объем памяти: 9Mb (256K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 117MHz
- Время доступа: 7.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
71V3577S75BG8

IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 119-BGA
- Тип корпуса: 119-PBGA (14x22)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 4.5Mb (128K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 117MHz
- Время доступа: 7.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CY7C1324F-117AI

CACHE SRAM, 128KX18, 7.5NS

Cypress Semiconductor Corp
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x20)
- Напряжение питания: 3.15V ~ 3.6V
- Объем памяти: 2Mb (128K x 18)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 117MHz
- Время доступа: 7.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CY7C1371C-117BGC

ZBT SRAM, 512KX36, 7.5NS

Cypress Semiconductor Corp
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Серия: NoBL™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 119-BGA
- Тип корпуса: 119-PBGA (14x22)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.6V
- Объем памяти: 18Mb (512K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 117MHz
- Время доступа: 7.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
71V67703S75BQG8

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 165-TBGA
- Тип корпуса: 165-CABGA (13x15)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 9Mb (256K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 117MHz
- Время доступа: 7.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IS61NLF51236-7.5B3I

IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 165-TBGA
- Тип корпуса: 165-TFBGA (13x15)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 18Mb (512K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 117MHz
- Время доступа: 7.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IS61NLF25636B-7.5TQLI

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100LQFP

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-LQFP (14x20)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 9Mb (256K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 117MHz
- Время доступа: 7.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IS61NLF51218A-7.5TQLI-TR

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-LQFP (14x20)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 9Mb (512K x 18)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 117MHz
- Время доступа: 7.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
71V3577S75PFG

IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

IDT, Integrated Device Technology Inc
- Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 4.5Mb (128K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 117MHz
- Время доступа: 7.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
71V67903S75BQGI

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 165-TBGA
- Тип корпуса: 165-CABGA (13x15)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 9Mb (512K x 18)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 117MHz
- Время доступа: 7.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IS64LF25636A-7.5TQLA3

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100LQFP

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-LQFP (14x20)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 9Mb (256K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 117MHz
- Время доступа: 7.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IS61VF51236A-7.5B3-TR

IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 165-TBGA
- Тип корпуса: 165-TFBGA (13x15)
- Напряжение питания: 2.375V ~ 2.625V
- Объем памяти: 18Mb (512K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 117MHz
- Время доступа: 7.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: