Микросхемы памяти FCL 100MHz | Интегральные микросхемы

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 968

71V3558S100PFG

IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 4.5Mb (256K x 18)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
71V2556S100PFGI8

IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 4.5Mb (128K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CY7C1340F-100AC

CACHE SRAM, 128KX32, 4.5NS

Cypress Semiconductor Corp
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x20)
- Напряжение питания: 3.15V ~ 3.6V
- Объем памяти: 4Mb (128K x 32)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 5.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
71V3556SA100BGI8

IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 119-BGA
- Тип корпуса: 119-PBGA (14x22)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 4.5Mb (128K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MT48V8M32LFB5-10 IT

IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90VFBGA

Micron Technology Inc.
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 90-VFBGA
- Тип корпуса: 90-VFBGA (8x13)
- Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
- Объем памяти: 256Mb (8M x 32)
- Технология: SDRAM - Mobile LPSDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 7ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IDT71T75802S100PFGI

IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
- Напряжение питания: 2.375V ~ 2.625V
- Объем памяти: 18Mb (1M x 18)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
71V3577S80BQ

IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA

IDT, Integrated Device Technology Inc
- Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 165-TBGA
- Тип корпуса: 165-CABGA (13x15)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 4.5Mb (128K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 8ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
AT25DQ321-S3H-T

IC FLASH 32MBIT SPI 100MHZ 8SOIC

Adesto Technologies
- Производитель: Adesto Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TC)
- Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 32Mb (256 Bytes x 16384 pages)
- Технология: FLASH
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 7µs, 3ms
- Интерфейс: SPI
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CY7C1345F-100BGC

CACHE SRAM, 128KX36, 8NS

Cypress Semiconductor Corp
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 119-BGA
- Тип корпуса: 119-PBGA (14x22)
- Напряжение питания: 3.15V ~ 3.6V
- Объем памяти: 4.5Mb (128K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 8ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
71V67703S80BGGI

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 119-BGA
- Тип корпуса: 119-PBGA (14x22)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 9Mb (256K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 8ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
AT25DF081A-SSH-B

IC FLASH 8MBIT SPI 100MHZ 8SOIC

Adesto Technologies
- Производитель: Adesto Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TC)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 8Mb (256 Bytes x 4096 pages)
- Технология: FLASH
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 7µs, 3ms
- Интерфейс: SPI
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IDT71T75602S100PF

IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
- Напряжение питания: 2.375V ~ 2.625V
- Объем памяти: 18Mb (512K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CY7C1338B-100BGC

CACHE SRAM, 128KX32, 8NS

Cypress Semiconductor Corp
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 119-BGA
- Тип корпуса: 119-PBGA (14x22)
- Напряжение питания: 3.15V ~ 3.6V
- Объем памяти: 4Mb (128K x 32)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 8ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CY7C09199V-6AC

DUAL-PORT SRAM, 128KX9, 15NS

Cypress Semiconductor Corp
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 1.152Mb (128K x 9)
- Технология: SRAM - Dual Port, Synchronous
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 6.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IDT71V65602S100PFGI8

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 9Mb (256K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: