• Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 119-BGA
• Тип корпуса: 119-PBGA (14x22)
• Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
• Объем памяти: 4.5Mb (128K x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 100MHz
• Время доступа: 8ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Серия: NoBL™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 100-LQFP
• Тип корпуса: 100-TQFP (14x20)
• Напряжение питания: 3.135V ~ 3.6V
• Объем памяти: 9Mb (512K x 18)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 100MHz
• Время доступа: 7.5ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Winbond Electronics
• Серия: SpiFlash®
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 8-WSON (6x5)
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Объем памяти: 4Mb (512K x 8)
• Технология: FLASH
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 100MHz
• Формат памяти: FLASH
• Время цикла записи - слово, страница: 3ms
• Интерфейс: SPI

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 100-LQFP
• Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
• Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
• Объем памяти: 4.5Mb (128K x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 100MHz
• Время доступа: 5ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 100-LQFP
• Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 512Kb (64K x 8)
• Технология: SRAM - Dual Port, Synchronous
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 100MHz
• Время доступа: 6.5ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 100-LQFP
• Тип корпуса: 100-TQFP (14x20)
• Напряжение питания: 3.15V ~ 3.6V
• Объем памяти: 4Mb (128K x 32)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 100MHz
• Время доступа: 5.5ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Adesto Technologies
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TC)
• Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 8-UDFN (5x6)
• Напряжение питания: 1.65V ~ 1.95V
• Объем памяти: 8Mb (256 Bytes x 4096 pages)
• Технология: FLASH
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 100MHz
• Формат памяти: FLASH
• Время цикла записи - слово, страница: 8µs, 3ms
• Интерфейс: SPI

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 119-BGA
• Тип корпуса: 119-PBGA (14x22)
• Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
• Объем памяти: 4.5Mb (128K x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 100MHz
• Время доступа: 5ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 100-LQFP
• Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
• Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
• Объем памяти: 9Mb (256K x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 100MHz
• Время доступа: 8ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TA)
• Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип корпуса: 8-VVSOP
• Напряжение питания: 2.3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 4Mb (512K x 8)
• Технология: FLASH
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 100MHz
• Формат памяти: FLASH
• Время цикла записи - слово, страница: 5ms
• Интерфейс: SPI

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 119-BGA
• Тип корпуса: 119-PBGA (14x22)
• Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
• Объем памяти: 9Mb (256K x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 100MHz
• Время доступа: 5ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 100-LQFP
• Тип корпуса: 100-TQFP (14x20)
• Напряжение питания: 3.15V ~ 3.6V
• Объем памяти: 4Mb (128K x 32)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 100MHz
• Время доступа: 8ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 132-TBGA
• Тип корпуса: 132-TBGA (12x18)
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Объем памяти: 128Gb (16G x 8)
• Технология: FLASH - NAND
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 100MHz
• Формат памяти: FLASH
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 90-VFBGA
• Тип корпуса: 90-VFBGA (8x13)
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
• Объем памяти: 256Mb (8M x 32)
• Технология: SDRAM - Mobile LPSDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 100MHz
• Время доступа: 7ns
• Формат памяти: DRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 15ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 100-LQFP
• Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
• Напряжение питания: 3.15V ~ 3.6V
• Объем памяти: 4.5Mb (128K x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 100MHz
• Время доступа: 8ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel