• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 100-LBGA
• Тип корпуса: 100-LBGA (12x18)
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Объем памяти: 256Gb (32G x 8)
• Технология: FLASH - NAND (SLC)
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 100MHz
• Формат памяти: FLASH
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Adesto Technologies
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TC)
• Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 8-UDFN (5x6)
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Объем памяти: 64Mb (256 Bytes x 32K pages)
• Технология: FLASH
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 100MHz
• Формат памяти: FLASH
• Время цикла записи - слово, страница: 30µs, 6ms
• Интерфейс: SPI

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• Тип корпуса: 48-TSOP I
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Объем памяти: 256Gb (32G x 8)
• Технология: FLASH - NAND (MLC)
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 100MHz
• Формат памяти: FLASH
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Серия: HyperRAM™ KL
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TA)
• Package / Case: 24-VBGA
• Тип корпуса: 24-FBGA (6x8)
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Объем памяти: 64Mb (8M x 8)
• Технология: PSRAM (Pseudo SRAM)
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 100MHz
• Время доступа: 40ns
• Формат памяти: PSRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TA)
• Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
• Тип корпуса: 8-TSSOP
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Объем памяти: 256Kb (32K x 8)
• Технология: FLASH
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 100MHz
• Формат памяти: FLASH
• Время цикла записи - слово, страница: 5ms
• Интерфейс: SPI

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 100-LQFP
• Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
• Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
• Объем памяти: 4.5Mb (128K x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 100MHz
• Время доступа: 5ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 8-USON (1.5x1.5)
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Объем памяти: 8Mb (1M x 8)
• Технология: FLASH - NOR
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 100MHz
• Формат памяти: FLASH
• Время цикла записи - слово, страница: 50µs, 4ms
• Интерфейс: SPI - Dual I/O

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 119-BGA
• Тип корпуса: 119-PBGA (14x22)
• Напряжение питания: 2.375V ~ 2.625V
• Объем памяти: 18Mb (1M x 18)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 100MHz
• Время доступа: 5ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Серия: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KL
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TA)
• Package / Case: 24-VBGA
• Тип корпуса: 24-FBGA (6x8)
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Объем памяти: 256Mb (32M x 8)
• Технология: FLASH - NOR
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 100MHz
• Время доступа: 96ns
• Формат памяти: FLASH
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 90-VFBGA
• Тип корпуса: 90-VFBGA (8x13)
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 256Mb (8M x 32)
• Технология: SDRAM - Mobile LPSDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 100MHz
• Время доступа: 7ns
• Формат памяти: DRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 15ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TA)
• Package / Case: 100-LQFP
• Тип корпуса: 100-TQFP (14x20)
• Напряжение питания: 3.135V ~ 3.6V
• Объем памяти: 9Mb (256K x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 100MHz
• Время доступа: 8.5ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 272-BBGA
• Тип корпуса: 272-PBGA (27x27)
• Напряжение питания: 3.15V ~ 3.45V
• Объем памяти: 1.125Mb (64K x 18)
• Технология: SRAM - Quad Port, Synchronous
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 100MHz
• Время доступа: 3.6ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 100-LQFP
• Тип корпуса: 100-TQFP (14x20)
• Напряжение питания: 3.135V ~ 3.6V
• Объем памяти: 4.5Mb (256K x 18)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 100MHz
• Время доступа: 8ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Rochester Electronics, LLC
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 484-BGA
• Тип корпуса: 484-FBGA (23x23)
• Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
• Объем памяти: 18Mb (256K x 72)
• Технология: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Standard
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 100MHz
• Время доступа: 5.2 ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• Тип корпуса: 48-TSOP I
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Объем памяти: 128Gb (16G x 8)
• Технология: FLASH - NAND
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 100MHz
• Формат памяти: FLASH
• Интерфейс: Parallel