Микросхемы памяти FCL 100MHz | Интегральные микросхемы

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 968

CY7C1353G-100AXCT

IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

Cypress Semiconductor Corp
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Серия: NoBL™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x20)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 4.5Mb (256K x 18)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 8ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
71V3556SA100BQ8

IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 165-TBGA
- Тип корпуса: 165-CABGA (13x15)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 4.5Mb (128K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MT55L512Y32PT-10

IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP

Micron Technology Inc.
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Серия: ZBT®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x20.1)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 18Mb (512K x 32)
- Технология: SRAM - Asynchronous, ZBT
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IDT71V65603S100PF8

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 9Mb (256K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IS25LD020-JNLE-TR

IC FLASH 2MBIT SPI 100MHZ 8SOIC

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TA)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Напряжение питания: 2.3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 2Mb (256K x 8)
- Технология: FLASH
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 5ms
- Интерфейс: SPI
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
GVT71256E18T-9

STANDARD SRAM, 256KX18

Galvantech
- Производитель: Galvantech
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x20)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.6V
- Объем памяти: 4.5Mb (256K x 18)
- Технология: SRAM - Standard
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 8.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
71T75802S100PFGI

1M X 18, SYNCHRONOUS ZBT SRAM

IDT, Integrated Device Technology Inc
- Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
- Напряжение питания: 2.375V ~ 2.625V
- Объем памяти: 18Mb (1M x 18)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CY7C09279V-6AXC

IC SRAM 512KBIT PARALLEL 100TQFP

Cypress Semiconductor Corp
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 512Kb (32K x 16)
- Технология: SRAM - Dual Port, Synchronous
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 6.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
W25X80AVDAIZ

IC FLASH 8MBIT SPI 100MHZ 8DIP

Winbond Electronics
- Производитель: Winbond Electronics
- Серия: SpiFlash®
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
- Тип корпуса: 8-PDIP
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 8Mb (1M x 8)
- Технология: FLASH
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 3ms
- Интерфейс: SPI
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MT29F256G08CMCBBH2-10:B

IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA

Micron Technology Inc.
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 100-TBGA
- Тип корпуса: 100-TBGA (12x18)
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 256Gb (32G x 8)
- Технология: FLASH - NAND (MLC)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Формат памяти: FLASH
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
71V632S5PFGI8

IC SRAM 2MBIT PARALLEL 100TQFP

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.63V
- Объем памяти: 2Mb (64K x 32)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CY7C09289V-6AXC

IC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFP

Cypress Semiconductor Corp
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 1Mb (64K x 16)
- Технология: SRAM - Dual Port, Synchronous
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 6.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MT55L256L36PT-10

IC SRAM 8MBIT PARALLEL 100TQFP

Micron Technology Inc.
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Серия: ZBT®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x20.1)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 8Mb (256K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, ZBT
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
71V65603S100BQ

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 165-TBGA
- Тип корпуса: 165-CABGA (13x15)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 9Mb (256K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IS42VS16100C1-10TI-TR

IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 50-TSOP II
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 16Mb (1M x 16)
- Технология: SDRAM
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 7ns
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: