Микросхемы памяти FCL 100MHz | Интегральные микросхемы

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 968

IDT71V3556S100BGI8

IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 119-BGA
- Тип корпуса: 119-PBGA (14x22)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 4.5Mb (128K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
71V65803S100PFG

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

IDT, Integrated Device Technology Inc
- Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 9Mb (512K x 18)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
71V3556S100PFGI8

IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 4.5Mb (128K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IDT71V3558S100BG

IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 119-BGA
- Тип корпуса: 119-PBGA (14x22)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 4.5Mb (256K x 18)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IDT71V546S100PFI8

IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 4.5Mb (128K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MT48LC8M16LFF4-10:G

IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54VFBGA

Micron Technology Inc.
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 54-VFBGA
- Тип корпуса: 54-VFBGA (8x8)
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
- Технология: SDRAM - Mobile LPSDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 7ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IS66WVH16M8DBLL-100B1LI

IC PSRAM 128MBIT PAR 24TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 24-TBGA
- Тип корпуса: 24-TFBGA (6x8)
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (16M x 8)
- Технология: PSRAM (Pseudo SRAM)
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 40ns
- Формат памяти: PSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 40ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MT29F512G08CUCABH3-10RZ:A TR

IC FLASH 512GBIT PAR 100LBGA

Micron Technology Inc.
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 100-LBGA
- Тип корпуса: 100-LBGA (12x18)
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 512Gb (64G x 8)
- Технология: FLASH - NAND (MLC)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Формат памяти: FLASH
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IDT71V3558S100PF

IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 4.5Mb (256K x 18)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IDT71V65603S100PF

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 9Mb (256K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
W25X10AVSNIG

IC FLASH 1MBIT SPI 100MHZ 8SOIC

Winbond Electronics
- Производитель: Winbond Electronics
- Серия: SpiFlash®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 1Mb (128K x 8)
- Технология: FLASH
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 3ms
- Интерфейс: SPI
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IDT71V3556S100BQGI

IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 165-TBGA
- Тип корпуса: 165-CABGA (13x15)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 4.5Mb (128K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
S70KL1281DABHV020

IC PSRAM 128MBIT PARALLEL 24FBGA

Cypress Semiconductor Corp
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Серия: HyperRAM™ KL
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TA)
- Package / Case: 24-VBGA
- Тип корпуса: 24-FBGA (6x8)
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (16M x 8)
- Технология: PSRAM (Pseudo SRAM)
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 40ns
- Формат памяти: PSRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CY7C1356A-100AI

SRAM CHIP SYNC SINGLE 3.3V 9M BI

Cypress Semiconductor Corp
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x20)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 9Mb (512K x 18)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 7.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IDT71T75602S100PF8

IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP

Renesas Electronics America Inc
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
- Напряжение питания: 2.375V ~ 2.625V
- Объем памяти: 18Mb (512K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по:

	Значение	Кол‑во
	DRAM ⇒	61
	FLASH ⇒	307
	FLASH, RAM ⇒	7
	PSRAM ⇒	26
	SRAM ⇒	567

Формат памяти (5)