Микросхемы памяти FCL 1.2GHz | Интегральные микросхемы

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 88

MT40A1G8WE-083E AAT:B TR

IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA

Micron Technology Inc.
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q100
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TC)
- Package / Case: 78-TFBGA
- Тип корпуса: 78-FBGA (8x12)
- Напряжение питания: 1.14V ~ 1.26V
- Объем памяти: 8Gb (1G x 8)
- Технология: SDRAM - DDR4
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.2GHz
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MT40A512M16JY-083E AAT:B TR

IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA

Micron Technology Inc.
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q100
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TC)
- Package / Case: 96-TFBGA
- Тип корпуса: 96-FBGA (8x14)
- Напряжение питания: 1.14V ~ 1.26V
- Объем памяти: 8Gb (512M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR4
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.2GHz
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MT40A512M8RH-083E AIT:B TR

IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA

Micron Technology Inc.
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q100
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 78-TFBGA
- Тип корпуса: 78-FBGA (9x10.5)
- Напряжение питания: 1.14V ~ 1.26V
- Объем памяти: 4Gb (512M x 8)
- Технология: SDRAM - DDR4
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.2GHz
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MT40A1G16HBA-083E:A TR

IC DRAM 16GBIT PARALLEL 96FBGA

Micron Technology Inc.
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 96-TFBGA
- Тип корпуса: 96-FBGA (9.5x14)
- Напряжение питания: 1.14V ~ 1.26V
- Объем памяти: 16Gb (1G x 16)
- Технология: SDRAM - DDR4
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.2GHz
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MT40A2G8FSE-083E:A TR

IC DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA

Micron Technology Inc.
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 78-TFBGA
- Тип корпуса: 78-FBGA (9.5x13)
- Напряжение питания: 1.14V ~ 1.26V
- Объем памяти: 16Gb (2G x 8)
- Технология: SDRAM - DDR4
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.2GHz
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MT44K64M18RB-083F:A TR

IC RLDRAM 1.125GBIT PAR 168BGA

Micron Technology Inc.
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 168-TBGA
- Тип корпуса: 168-BGA (13.5x13.5)
- Напряжение питания: 1.28V ~ 1.42V
- Объем памяти: 1.125Gb (64Mb x 18)
- Технология: RLDRAM 3
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.2GHz
- Время доступа: 6.67ns
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IS43QR16256B-083RBLI

IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96BGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 96-BGA
- Тип корпуса: 96-BGA
- Напряжение питания: 1.14V ~ 1.26V
- Объем памяти: 4Gb (256M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR4
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.2GHz
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MT40A512M16JY-083E AUT:B

IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA

Micron Technology Inc.
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q100
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TC)
- Package / Case: 96-TFBGA
- Тип корпуса: 96-FBGA (8x14)
- Напряжение питания: 1.14V ~ 1.26V
- Объем памяти: 8Gb (512M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR4
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.2GHz
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
AS4C512M8D4-83BCN

IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA

Alliance Memory, Inc.
- Производитель: Alliance Memory, Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 78-TFBGA
- Тип корпуса: 78-FBGA (7.5x10.6)
- Напряжение питания: 1.14V ~ 1.26V
- Объем памяти: 4Gb (512M x 8)
- Технология: SDRAM - DDR4
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.2GHz
- Время доступа: 18ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MT44K32M36RB-083F:A TR

IC RLDRAM 1.125GBIT PAR 168BGA

Micron Technology Inc.
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 168-TBGA
- Тип корпуса: 168-BGA (13.5x13.5)
- Напряжение питания: 1.28V ~ 1.42V
- Объем памяти: 1.125Gb (32Mb x 36)
- Технология: RLDRAM 3
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.2GHz
- Время доступа: 6.67ns
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MT40A512M8RH-083E AIT:B

IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA

Micron Technology Inc.
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q100
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 78-TFBGA
- Тип корпуса: 78-FBGA (9x10.5)
- Напряжение питания: 1.14V ~ 1.26V
- Объем памяти: 4Gb (512M x 8)
- Технология: SDRAM - DDR4
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.2GHz
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
EDY4016AABG-DR-F-D

IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA

Micron Technology Inc.
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 96-TFBGA
- Тип корпуса: 96-FBGA (7.5x13.5)
- Напряжение питания: 1.14V ~ 1.26V
- Объем памяти: 4Gb (256M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR4
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.2GHz
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MT40A2G4PM-083E:A

IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA

Micron Technology Inc.
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 78-TFBGA
- Тип корпуса: 78-FBGA (9x13.2)
- Напряжение питания: 1.14V ~ 1.26V
- Объем памяти: 8Gb (2G x 4)
- Технология: SDRAM - DDR4
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.2GHz
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MT40A4G4FSE-083E:A TR

IC DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA

Micron Technology Inc.
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 78-TFBGA
- Тип корпуса: 78-FBGA (9.5x13)
- Напряжение питания: 1.14V ~ 1.26V
- Объем памяти: 16Gb (4G x 4)
- Технология: SDRAM - DDR4
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.2GHz
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
AS4C256M16D4-83BCN

IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA

Alliance Memory, Inc.
- Производитель: Alliance Memory, Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 96-TFBGA
- Тип корпуса: 96-FBGA (7.5x13.5)
- Напряжение питания: 1.14V ~ 1.26V
- Объем памяти: 4Gb (256M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR4
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.2GHz
- Время доступа: 18ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: