Полупроводники, Интегральные микросхемы, Микросхемы памяти FCL 1.066GHz
-
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Package / Case
- Время доступа
- Интерфейс
- Время цикла записи - слово, страница
- Серия
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 96-TFBGA
- Тип корпуса: 96-FBGA (8x14)
- Напряжение питания: 1.425V ~ 1.575V
- Объем памяти: 2Gb (128M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR3
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.066GHz
- Время доступа: 20ns
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alliance Memory, Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 96-VFBGA
- Тип корпуса: 96-FBGA (7.5x13)
- Напряжение питания: 1.425V ~ 1.575V
- Объем памяти: 2Gb (128M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR3
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.066GHz
- Время доступа: 20ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Серия: Automotive, AEC-Q100
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 78-TFBGA
- Тип корпуса: 78-TWBGA (9x10.5)
- Напряжение питания: 1.425V ~ 1.575V
- Объем памяти: 4Gb (512M x 8)
- Технология: SDRAM - DDR3
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.066GHz
- Время доступа: 20ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Winbond Electronics
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 78-VFBGA
- Тип корпуса: 78-VFBGA (8x10.5)
- Напряжение питания: 1.283V ~ 1.45V, 1.425V ~ 1.575V
- Объем памяти: 1Gb (128M x 8)
- Технология: SDRAM - DDR3L
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.066GHz
- Время доступа: 20ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Winbond Electronics
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -25°C ~ 85°C (TC)
- Package / Case: 178-VFBGA
- Тип корпуса: 178-VFBGA (11x11.5)
- Напряжение питания: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 1Gb (32M x 32)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR3
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.066GHz
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 361-BBGA, FCBGA
- Тип корпуса: 361-FCBGA (21x21)
- Напряжение питания: 1.26V ~ 1.34V
- Объем памяти: 144Mb (8M x 18)
- Технология: SRAM - Synchronous, QDR IV
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.066GHz
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 96-TFBGA
- Тип корпуса: 96-FBGA (8x14)
- Напряжение питания: 1.425V ~ 1.575V
- Объем памяти: 4Gb (256M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR3
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.066GHz
- Время доступа: 20ns
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Winbond Electronics
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 96-VFBGA
- Тип корпуса: 96-VFBGA (7.5x13)
- Напряжение питания: 1.283V ~ 1.45V
- Объем памяти: 1Gb (64M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR3L
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.066GHz
- Время доступа: 20ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Winbond Electronics
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TC)
- Package / Case: 96-VFBGA
- Тип корпуса: 96-VFBGA (7.5x13)
- Напряжение питания: 1.425V ~ 1.575V
- Объем памяти: 1Gb (64M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR3
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.066GHz
- Время доступа: 20ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: SSTL_15
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 96-TFBGA
- Тип корпуса: 96-TWBGA (9x13)
- Напряжение питания: 1.14V ~ 1.26V
- Объем памяти: 4Gb (256M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR4
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.066GHz
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 96-TFBGA
- Тип корпуса: 96-FBGA (8x14)
- Напряжение питания: 1.425V ~ 1.575V
- Объем памяти: 1Gb (64M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR3
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.066GHz
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Winbond Electronics
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TC)
- Package / Case: 78-VFBGA
- Тип корпуса: 78-VFBGA (8x10.5)
- Напряжение питания: 1.425V ~ 1.575V
- Объем памяти: 1Gb (128M x 8)
- Технология: SDRAM - DDR3
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.066GHz
- Время доступа: 20ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: SSTL_15
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Winbond Electronics
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 96-VFBGA
- Тип корпуса: 96-VFBGA (7.5x13)
- Напряжение питания: 1.283V ~ 1.45V
- Объем памяти: 2Gb (128M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR3L
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.066GHz
- Время доступа: 20ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 78-TFBGA
- Тип корпуса: 78-FBGA (8x10.5)
- Напряжение питания: 1.425V ~ 1.575V
- Объем памяти: 2Gb (256M x 8)
- Технология: SDRAM - DDR3
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.066GHz
- Время доступа: 20ns
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Серия: Automotive, AEC-Q100
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 78-TFBGA
- Тип корпуса: 78-TWBGA (9x10.5)
- Напряжение питания: 1.425V ~ 1.575V
- Объем памяти: 4Gb (512M x 8)
- Технология: SDRAM - DDR3
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.066GHz
- Время доступа: 20ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100