- Производитель
- Напряжение стабилизации
- Мощность - Макс.
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Рабочая температура
- Ток утечки
- Прямое напряжение
- Серия
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/406
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
- Тип корпуса: DO-41
- Прямое напряжение: 1V @ 200mA
- Ток утечки: 500nA @ 4.92V
- Допуск: ±1%
- Мощность - Макс.: 1.5W
- Напряжение стабилизации: 8.2V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 3 Ohms
-
- Производитель: Comchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 0805 (2012 Metric)
- Тип корпуса: 0805
- Прямое напряжение: 1.5V @ 200mA
- Ток утечки: 75µA @ 5.2V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 500mW
- Напряжение стабилизации: 2.2V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 85 Ohms
-
- Производитель: Panjit International Inc.
- Серия: MMBZ5221BTW~MMBZ5262BTW
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: SOT-363
- Конфигурация: 3 Independent
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 200mW
- Напряжение стабилизации: 13V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 13 Ohms
-
- Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-90, SOD-323F
- Тип корпуса: SOD-323F
- Прямое напряжение: 1V @ 10mA
- Ток утечки: 45nA @ 27.3V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 200mW
- Напряжение стабилизации: 39V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 130 Ohms
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
- Тип корпуса: DO-204AL (DO-41)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 1µA @ 51.2V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 1.25W
- Напряжение стабилизации: 68V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 120 Ohms
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C
- Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
- Тип корпуса: DO-35
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 100nA @ 21V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 500mW
- Напряжение стабилизации: 27V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 70 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101, TZX
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
- Тип корпуса: DO-35 (DO-204AH)
- Прямое напряжение: 1.5V @ 200mA
- Ток утечки: 1µA @ 3V
- Мощность - Макс.: 500mW
- Напряжение стабилизации: 6.2V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 15 Ohms
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/406
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: SQ-MELF, A
- Тип корпуса: D-5A
- Прямое напряжение: 1V @ 200mA
- Ток утечки: 250nA @ 144V
- Допуск: ±2%
- Мощность - Макс.: 1.5W
- Напряжение стабилизации: 180V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 1.3 kOhms
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: POWERMITE®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
- Package / Case: DO-216AA
- Тип корпуса: DO-216
- Прямое напряжение: 1.1V @ 200mA
- Ток утечки: 50nA @ 8.44V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 1W
- Напряжение стабилизации: 11V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 200 Ohms
-
- Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: DO-219AB
- Тип корпуса: Sub SMA
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 1µA @ 16V
- Допуск: ±5.66%
- Мощность - Макс.: 1W
- Напряжение стабилизации: 22.05V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 15 Ohms
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/117
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
- Тип корпуса: DO-35 (DO-204AH)
- Прямое напряжение: 1.1V @ 200mA
- Ток утечки: 500nA @ 11V
- Допуск: ±1%
- Мощность - Макс.: 500mW
- Напряжение стабилизации: 15V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 16 Ohms
-
- Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: DO-219AB
- Тип корпуса: Sub SMA
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 1µA @ 30V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 1W
- Напряжение стабилизации: 39V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 40 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
- Package / Case: DO-213AB, MELF
- Тип корпуса: MELF DO-213AB
- Ток утечки: 5µA @ 25.1V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 1W
- Напряжение стабилизации: 33V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 45 Ohms
- 10
- 15
- 50
- 100