- Производитель
- Напряжение стабилизации
- Мощность - Макс.
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Рабочая температура
- Ток утечки
- Прямое напряжение
- Серия
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/356
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: E, Axial
- Прямое напряжение: 1.5V @ 1A
- Ток утечки: 2µA @ 83.6V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 5W
- Напряжение стабилизации: 110V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 125 Ohms
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
- Тип корпуса: DO-35
- Прямое напряжение: 1.1V @ 200mA
- Ток утечки: 100nA @ 52V
- Допуск: ±1%
- Мощность - Макс.: 500mW
- Напряжение стабилизации: 68V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 240 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C
- Package / Case: DO-214AC, SMA
- Тип корпуса: DO-214AC (SMA)
- Ток утечки: 5µA @ 15.2V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 1W
- Напряжение стабилизации: 20V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 22 Ohms
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/437
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-213AA (Glass)
- Тип корпуса: DO-213AA
- Прямое напряжение: 1.1V @ 200mA
- Ток утечки: 10nA @ 19.8V
- Допуск: ±2%
- Мощность - Макс.: 500mW
- Напряжение стабилизации: 22V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 100 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101, BZG03B
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: DO-214AC, SMA
- Тип корпуса: DO-214AC
- Прямое напряжение: 1.2V @ 500mA
- Ток утечки: 2µA @ 10V
- Допуск: ±2%
- Мощность - Макс.: 1.25W
- Напряжение стабилизации: 13V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 10 Ohms
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: TO-204AD
- Тип корпуса: TO-204AD (TO-3)
- Прямое напряжение: 1.5V @ 10A
- Ток утечки: 150µA @ 500mV
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 50W
- Напряжение стабилизации: 4.3V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 0.16 Ohms
-
- Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
- Тип корпуса: DO-204AL (DO-41)
- Ток утечки: 5µA @ 38.8V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 1W
- Напряжение стабилизации: 51V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 95 Ohms
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
- Тип корпуса: MELF
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 5µA @ 62.2V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 1W
- Напряжение стабилизации: 82V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 200 Ohms
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-213AB, MELF
- Тип корпуса: DO-213AB
- Прямое напряжение: 1.1V @ 200mA
- Ток утечки: 50nA @ 22.8V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 500mW
- Напряжение стабилизации: 30V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 200 Ohms
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/435
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
- Тип корпуса: DO-35
- Прямое напряжение: 1.1V @ 200mA
- Ток утечки: 3.5µA @ 2V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 500mW
- Напряжение стабилизации: 3.6V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 1.7 kOhms
-
- Производитель: Panjit International Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SOT-323
- Ток утечки: 100nA @ 21V
- Допуск: ±2%
- Мощность - Макс.: 200mW
- Напряжение стабилизации: 28V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 44 Ohms
- 10
- 15
- 50
- 100