- Производитель
- Напряжение стабилизации
- Мощность - Макс.
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Рабочая температура
- Ток утечки
- Прямое напряжение
- Серия
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/435
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-213AA (Glass)
- Тип корпуса: DO-213AA
- Ток утечки: 2.5µA @ 2V
- Допуск: ±1%
- Мощность - Макс.: 500mW
- Напряжение стабилизации: 3.9V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 1.65 kOhms
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/127
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
- Прямое напряжение: 1.1V @ 200mA
- Ток утечки: 5µA @ 2V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 500mW
- Напряжение стабилизации: 5.1V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 14 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101, VLZ
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: SOD-80 Variant
- Тип корпуса: SOD-80 QuadroMELF
- Прямое напряжение: 1.5V @ 200mA
- Ток утечки: 40µA @ 34.8V
- Мощность - Макс.: 500mW
- Напряжение стабилизации: 37.58V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 85 Ohms
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/435
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-213AA (Glass)
- Тип корпуса: DO-213AA
- Прямое напряжение: 1.1V @ 200mA
- Ток утечки: 10nA @ 29.7V
- Допуск: ±1%
- Мощность - Макс.: 500mW
- Напряжение стабилизации: 39V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 200 Ohms
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
- Тип корпуса: TUMD2M
- Ток утечки: 10µA @ 10V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 500mW
- Напряжение стабилизации: 15V
-
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: DO-214AC, SMA
- Тип корпуса: DO-214AC (SMA)
- Ток утечки: 10µA @ 1V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 1W
- Напряжение стабилизации: 5.1V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 7 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101, TZM-M
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
- Тип корпуса: SOD-80 MiniMELF
- Прямое напряжение: 1.5V @ 200mA
- Ток утечки: 100nA @ 36V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 500mW
- Напряжение стабилизации: 47V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 110 Ohms
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SOT-323
- Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
- Ток утечки: 500nA @ 6V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 275mW
- Напряжение стабилизации: 9.1V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 15 Ohms
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
- Package / Case: DO-214AA, SMB
- Тип корпуса: SMBJ (DO-214AA)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 5µA @ 42.6V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 2W
- Напряжение стабилизации: 56V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 110 Ohms
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/435
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-213AA (Glass)
- Тип корпуса: DO-213AA
- Прямое напряжение: 1.1V @ 200mA
- Ток утечки: 10nA @ 76V
- Допуск: ±1%
- Напряжение стабилизации: 100V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 1.6 kOhms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
- Package / Case: SOD-123
- Тип корпуса: SOD-123
- Ток утечки: 5µA @ 3V
- Допуск: ±2%
- Мощность - Макс.: 500mW
- Напряжение стабилизации: 5.6V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 11 Ohms
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-213AB, MELF
- Тип корпуса: DO-213AB
- Прямое напряжение: 1.1V @ 200mA
- Ток утечки: 100nA @ 68V
- Допуск: ±20%
- Мощность - Макс.: 10mW
- Напряжение стабилизации: 87V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 370 Ohms
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
- Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
- Тип корпуса: DO-204AL (DO-41)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 5µA @ 6V
- Допуск: ±2%
- Мощность - Макс.: 1.5W
- Напряжение стабилизации: 7.5V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 3 Ohms
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Ток утечки: 1µA @ 2V
- Допуск: ±1.96%
- Мощность - Макс.: 250mW
- Напряжение стабилизации: 5.6V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 40 Ohms
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
- Тип корпуса: DO-35
- Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
- Ток утечки: 100nA @ 48V
- Допуск: ±1%
- Мощность - Макс.: 500mW
- Напряжение стабилизации: 68V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 240 Ohms
- 10
- 15
- 50
- 100