- Производитель
- Напряжение стабилизации
- Мощность - Макс.
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Рабочая температура
- Ток утечки
- Прямое напряжение
- Серия
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101, BZG05B-M
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: DO-214AC, SMA
- Тип корпуса: DO-214AC (SMA)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 3µA @ 1V
- Допуск: ±1.91%
- Мощность - Макс.: 1.25W
- Напряжение стабилизации: 4.7V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 13 Ohms
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/406
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
- Тип корпуса: DO-41
- Прямое напряжение: 1V @ 200mA
- Ток утечки: 50nA @ 10.4V
- Допуск: ±2%
- Мощность - Макс.: 1.5W
- Напряжение стабилизации: 13V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 8 Ohms
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
- Package / Case: DO-215AA, SMB Gull Wing
- Тип корпуса: SMBG (DO-215AA)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 1A
- Ток утечки: 500nA @ 40.3V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 5W
- Напряжение стабилизации: 56V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 35 Ohms
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
- Package / Case: T-18, Axial
- Тип корпуса: T-18
- Прямое напряжение: 1.2V @ 1A
- Ток утечки: 1µA @ 2V
- Допуск: ±20%
- Мощность - Макс.: 5W
- Напряжение стабилизации: 5.6V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 1 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C
- Package / Case: DO-214AC, SMA
- Тип корпуса: DO-214AC (SMA)
- Ток утечки: 5µA @ 11.4V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 1W
- Напряжение стабилизации: 15V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 14 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101, BZD27B
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-219AB
- Тип корпуса: DO-219AB (SMF)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 1µA @ 130V
- Мощность - Макс.: 800mW
- Напряжение стабилизации: 160V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 350 Ohms
-
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOD-123F
- Тип корпуса: Mini2-F3-B
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 10µA @ 14V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 1W
- Напряжение стабилизации: 20V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 30 Ohms
-
- Производитель: NXP Semiconductors
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: TO-236AB
- Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
- Ток утечки: 50nA @ 21V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 250mW
- Напряжение стабилизации: 30V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 80 Ohms
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/115
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
- Тип корпуса: DO-213AB (MELF, LL41)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 10µA @ 18.2V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 1W
- Напряжение стабилизации: 24V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 25 Ohms
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C
- Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
- Тип корпуса: DO-35
- Прямое напряжение: 1.1V @ 200mA
- Ток утечки: 100nA @ 30V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 500mW
- Напряжение стабилизации: 39V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 80 Ohms
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
- Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
- Тип корпуса: DO-204AL (DO-41)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 100µA @ 1V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 1W
- Напряжение стабилизации: 3.6V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 10 Ohms
-
- Производитель: SMC Diode Solutions
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 165°C (TJ)
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Прямое напряжение: 1.1V @ 200mA
- Ток утечки: 1µA @ 21.4V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 3W
- Напряжение стабилизации: 28V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 24 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101, BZX85
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
- Тип корпуса: DO-204AL (DO-41)
- Ток утечки: 1µA @ 4V
- Допуск: ±2%
- Мощность - Макс.: 1.3W
- Напряжение стабилизации: 6.8V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 3.5 Ohms
- 10
- 15
- 50
- 100