- Производитель
- Напряжение стабилизации
- Мощность - Макс.
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Рабочая температура
- Ток утечки
- Прямое напряжение
- Серия
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/406
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
- Тип корпуса: DO-41
- Прямое напряжение: 1V @ 200mA
- Ток утечки: 500nA @ 4.92V
- Допуск: ±1%
- Мощность - Макс.: 1.5W
- Напряжение стабилизации: 8.2V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 3 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Comchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 0805 (2012 Metric)
- Тип корпуса: 0805
- Прямое напряжение: 1.5V @ 200mA
- Ток утечки: 75µA @ 5.2V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 500mW
- Напряжение стабилизации: 2.2V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 85 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Panjit International Inc.
- Серия: MMBZ5221BTW~MMBZ5262BTW
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: SOT-363
- Конфигурация: 3 Independent
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 200mW
- Напряжение стабилизации: 13V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 13 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-90, SOD-323F
- Тип корпуса: SOD-323F
- Прямое напряжение: 1V @ 10mA
- Ток утечки: 45nA @ 27.3V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 200mW
- Напряжение стабилизации: 39V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 130 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
- Тип корпуса: DO-204AL (DO-41)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 1µA @ 51.2V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 1.25W
- Напряжение стабилизации: 68V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 120 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C
- Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
- Тип корпуса: DO-35
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 100nA @ 21V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 500mW
- Напряжение стабилизации: 27V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 70 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101, TZX
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
- Тип корпуса: DO-35 (DO-204AH)
- Прямое напряжение: 1.5V @ 200mA
- Ток утечки: 1µA @ 3V
- Мощность - Макс.: 500mW
- Напряжение стабилизации: 6.2V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 15 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/406
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: SQ-MELF, A
- Тип корпуса: D-5A
- Прямое напряжение: 1V @ 200mA
- Ток утечки: 250nA @ 144V
- Допуск: ±2%
- Мощность - Макс.: 1.5W
- Напряжение стабилизации: 180V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 1.3 kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: POWERMITE®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
- Package / Case: DO-216AA
- Тип корпуса: DO-216
- Прямое напряжение: 1.1V @ 200mA
- Ток утечки: 50nA @ 8.44V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 1W
- Напряжение стабилизации: 11V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 200 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: DO-219AB
- Тип корпуса: Sub SMA
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 1µA @ 16V
- Допуск: ±5.66%
- Мощность - Макс.: 1W
- Напряжение стабилизации: 22.05V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 15 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/117
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
- Тип корпуса: DO-35 (DO-204AH)
- Прямое напряжение: 1.1V @ 200mA
- Ток утечки: 500nA @ 11V
- Допуск: ±1%
- Мощность - Макс.: 500mW
- Напряжение стабилизации: 15V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 16 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: DO-219AB
- Тип корпуса: Sub SMA
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 1µA @ 30V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 1W
- Напряжение стабилизации: 39V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 40 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
- Package / Case: DO-213AB, MELF
- Тип корпуса: MELF DO-213AB
- Ток утечки: 5µA @ 25.1V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 1W
- Напряжение стабилизации: 33V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 45 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100
Стабилитрон, или диод Зенера, это электронный компонент, предназначенный для стабилизации напряжения на участке цепи, соединенной с его выводами. Эффект стабилизации основан на том факте, что при обратном лавинном пробое диода напряжение на нем почти не зависит от протекаемого тока. Максимальный ток, который может выдежать стабитрон, определяется его мощностью рассеивания. Можно сказать, что для стабилитрона режим обратного лавинного пробоя является его рабочим режимом.
Справочная информация по основным параметрам:
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If (Прямое напряжение) —
Разность потенциалов прямосмещенного p-n перехода.
Power - Max (Мощность - Макс.) —
Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Current - Reverse Leakage @ Vr (Ток утечки) —
Ток, протекающий через прибор в запертом состоянии.
Mounting Type (Вид монтажа) —
Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Voltage - Zener (Nom) (Vz) (Напряжение стабилизации) —
Напряжение стабилизации - напряжение обратного пробоя, слабо зависящее от протекающего через прибор тока.
Operating Temperature (Рабочая температура) —
Рабочий диапазон температур компонента.
Impedance (Max) (Zzt) (Имеданс (Макс) (Zzt)) —
Эквивалентное последовательное максимальное сопротивление стабилитрона, когда он проводит ток в рабочем режиме.