• Производитель: Panjit International Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-214AC, SMA
• Тип корпуса: SMA (DO-214AC)
• Ток утечки: 10µA @ 2V
• Допуск: ±5%
• Мощность - Макс.: 1W
• Напряжение стабилизации: 5.6V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 5 Ohms

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
• Package / Case: DO-215AA, SMB Gull Wing
• Тип корпуса: SMBG (DO-215AA)
• Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
• Ток утечки: 10µA @ 5V
• Допуск: ±10%
• Мощность - Макс.: 2W
• Напряжение стабилизации: 7.5V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 4 Ohms

• Производитель: Microchip Technology
• Серия: Military, MIL-PRF-19500/435
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
• Package / Case: DO-213AA (Glass)
• Тип корпуса: DO-213AA
• Прямое напряжение: 1.1V @ 200mA
• Ток утечки: 2µA @ 1V
• Допуск: ±5%
• Мощность - Макс.: 500mW
• Напряжение стабилизации: 2.2V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 1.3 kOhms

• Производитель: Microchip Technology
• Серия: Military, MIL-PRF-19500/115
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
• Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
• Тип корпуса: DO-213AB (MELF, LL41)
• Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
• Ток утечки: 10µA @ 25.1V
• Допуск: ±5%
• Мощность - Макс.: 1W
• Напряжение стабилизации: 33V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 45 Ohms

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
• Package / Case: T-18, Axial
• Тип корпуса: T-18
• Прямое напряжение: 1.2V @ 1A
• Ток утечки: 500nA @ 79.2V
• Допуск: ±5%
• Мощность - Макс.: 5W
• Напряжение стабилизации: 110V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 125 Ohms

• Производитель: Microchip Technology

• Производитель: Microchip Technology
• Серия: Military, MIL-PRF-19500/435
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
• Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
• Тип корпуса: DO-35 (DO-204AH)
• Прямое напряжение: 1.1V @ 200mA
• Ток утечки: 10nA @ 20.5V
• Допуск: ±1%
• Мощность - Макс.: 500mW
• Напряжение стабилизации: 27V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 150 Ohms

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
• Package / Case: T-18, Axial
• Тип корпуса: AX-5W
• Прямое напряжение: 1.2V @ 1A
• Ток утечки: 1µA @ 2V
• Допуск: ±5%
• Мощность - Макс.: 5W
• Напряжение стабилизации: 5.6V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 1 Ohms

• Производитель: NXP USA Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SMT3; MPAK
• Прямое напряжение: 1.1V @ 100mA
• Ток утечки: 2µA @ 3V
• Допуск: ±2%
• Мощность - Макс.: 300mW
• Напряжение стабилизации: 6.2V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 10 Ohms

• Производитель: Microsemi Corporation
• Серия: Military, MIL-PRF-19500/435
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
• Package / Case: DO-213AA (Glass)
• Тип корпуса: DO-213AA
• Прямое напряжение: 1.1V @ 200mA
• Ток утечки: 50nA @ 12.2V
• Допуск: ±2%
• Напряжение стабилизации: 16V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 100 Ohms

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Die
• Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
• Ток утечки: 500nA @ 62.2V
• Допуск: ±5%
• Мощность - Макс.: 1W
• Напряжение стабилизации: 82V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 200 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: Automotive, AEC-Q101, BZG03C-M
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-214AC, SMA
• Тип корпуса: DO-214AC (SMA)
• Прямое напряжение: 1.2V @ 500mA
• Ток утечки: 1µA @ 13V
• Допуск: ±6.39%
• Мощность - Макс.: 1.25W
• Напряжение стабилизации: 18V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 15 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: Automotive, AEC-Q101, BZX384
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
• Package / Case: SC-76, SOD-323
• Тип корпуса: SOD-323
• Ток утечки: 5µA @ 1V
• Допуск: ±5%
• Мощность - Макс.: 200mW
• Напряжение стабилизации: 3.9V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 90 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: BZT52-G
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
• Package / Case: SOD-123
• Тип корпуса: SOD-123
• Ток утечки: 100nA @ 10V
• Допуск: ±5%
• Мощность - Макс.: 410mW
• Напряжение стабилизации: 13V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 9 Ohms

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
• Package / Case: DO-204AA, DO-7, Axial
• Тип корпуса: DO-7
• Прямое напряжение: 1.1V @ 200mA
• Ток утечки: 5µA @ 25.1V
• Допуск: ±5%
• Мощность - Макс.: 500mW
• Напряжение стабилизации: 33V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 58 Ohms