• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
• Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
• Тип корпуса: DO-204AL (DO-41)
• Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
• Ток утечки: 1µA @ 56V
• Допуск: ±2%
• Мощность - Макс.: 1.25W
• Напряжение стабилизации: 75V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 140 Ohms

• Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
• Серия: Automotive, AEC-Q101
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: DO-214AC, SMA
• Тип корпуса: DO-214AC (SMA)
• Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
• Ток утечки: 1µA @ 76V
• Допуск: ±5%
• Мощность - Макс.: 1.25W
• Напряжение стабилизации: 100V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 350 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: Automotive, AEC-Q101, BZG05B
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-214AC, SMA
• Тип корпуса: DO-214AC
• Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
• Ток утечки: 20µA @ 1V
• Допуск: ±1.94%
• Мощность - Макс.: 1.25W
• Напряжение стабилизации: 3.6V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 20 Ohms

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
• Package / Case: DO-213AB, MELF
• Тип корпуса: DO-213AB
• Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
• Ток утечки: 5µA @ 7V
• Допуск: ±1%
• Мощность - Макс.: 1.25W
• Напряжение стабилизации: 9.1V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 4 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: Automotive, AEC-Q101
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
• Package / Case: DO-214AC, SMA
• Тип корпуса: DO-214AC (SMA)
• Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
• Ток утечки: 500nA @ 62V
• Мощность - Макс.: 1.25W
• Напряжение стабилизации: 82V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 3 kOhms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: Automotive, AEC-Q101, BZG03B-M
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-214AC, SMA
• Тип корпуса: DO-214AC (SMA)
• Прямое напряжение: 1.2V @ 500mA
• Ток утечки: 1µA @ 180V
• Допуск: ±2%
• Мощность - Макс.: 1.25W
• Напряжение стабилизации: 240V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 850 Ohms

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
• Package / Case: DO-213AB, MELF
• Тип корпуса: DO-213AB
• Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
• Ток утечки: 1µA @ 8V
• Допуск: ±5%
• Мощность - Макс.: 1.25W
• Напряжение стабилизации: 10V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 4.5 Ohms

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
• Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
• Тип корпуса: DO-204AL (DO-41)
• Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
• Ток утечки: 100µA @ 1V
• Допуск: ±5%
• Мощность - Макс.: 1.25W
• Напряжение стабилизации: 3.3V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 10 Ohms

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
• Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
• Тип корпуса: DO-204AL (DO-41)
• Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
• Ток утечки: 5µA @ 7V
• Допуск: ±10%
• Мощность - Макс.: 1.25W
• Напряжение стабилизации: 9.1V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 4 Ohms

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
• Package / Case: DO-213AB, MELF
• Тип корпуса: DO-213AB
• Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
• Ток утечки: 5µA @ 6.5V
• Допуск: ±5%
• Мощность - Макс.: 1.25W
• Напряжение стабилизации: 8.2V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 3.5 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: BZG03B-M
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-214AC, SMA
• Тип корпуса: DO-214AC (SMA)
• Прямое напряжение: 1.2V @ 500mA
• Ток утечки: 1µA @ 56V
• Допуск: ±2%
• Мощность - Макс.: 1.25W
• Напряжение стабилизации: 75V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 100 Ohms

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
• Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
• Тип корпуса: DO-204AL (DO-41)
• Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
• Ток утечки: 25µA @ 1V
• Допуск: ±10%
• Мощность - Макс.: 1.25W
• Напряжение стабилизации: 3.9V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 7.5 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: Automotive, AEC-Q101, BZG04-M
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-214AC, SMA
• Тип корпуса: DO-214AC (SMA)
• Прямое напряжение: 1.2V @ 500mA
• Ток утечки: 5µA @ 15V
• Мощность - Макс.: 1.25W
• Напряжение стабилизации: 18V

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: BZG03B-M
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-214AC, SMA
• Тип корпуса: DO-214AC (SMA)
• Прямое напряжение: 1.2V @ 500mA
• Ток утечки: 1µA @ 150V
• Допуск: ±2%
• Мощность - Макс.: 1.25W
• Напряжение стабилизации: 200V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 500 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: Automotive, AEC-Q101, BZG05C-M
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-214AC, SMA
• Тип корпуса: DO-214AC (SMA)
• Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
• Ток утечки: 1µA @ 2V
• Допуск: ±7.14%
• Мощность - Макс.: 1.25W
• Напряжение стабилизации: 5.6V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 7 Ohms