• Производитель: NXP Semiconductors
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 200°C
• Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
• Тип корпуса: LLDS; MiniMelf
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 20µA @ 1V
• Допуск: ±2%
• Мощность - Макс.: 500mW
• Напряжение стабилизации: 2.7V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 100 Ohms

• Производитель: NXP Semiconductors
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 200°C
• Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
• Тип корпуса: ALF2
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 50nA @ 14V
• Допуск: ±2%
• Мощность - Макс.: 400mW
• Напряжение стабилизации: 20V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 55 Ohms

• Производитель: NXP Semiconductors
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
• Package / Case: TO-243AA
• Тип корпуса: SOT-89
• Прямое напряжение: 1V @ 50mA
• Ток утечки: 20µA @ 1V
• Допуск: ±5%
• Мощность - Макс.: 1W
• Напряжение стабилизации: 2.7V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 100 Ohms

• Производитель: NXP Semiconductors
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 200°C
• Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
• Тип корпуса: DO-41
• Прямое напряжение: 1V @ 50mA
• Ток утечки: 3µA @ 2V
• Допуск: ±5%
• Мощность - Макс.: 1W
• Напряжение стабилизации: 5.1V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 10 Ohms

• Производитель: NXP Semiconductors
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 200°C
• Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
• Тип корпуса: ALF2
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 50nA @ 25.2V
• Допуск: ±2%
• Мощность - Макс.: 400mW
• Напряжение стабилизации: 36V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 90 Ohms

• Производитель: NXP Semiconductors
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: TO-236AB
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 1µA @ 5.3V
• Допуск: ±3%
• Мощность - Макс.: 250mW
• Напряжение стабилизации: 5.9V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 100 Ohms

• Производитель: NXP Semiconductors
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 200°C
• Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
• Тип корпуса: ALF2
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 100nA @ 8V
• Допуск: ±5%
• Мощность - Макс.: 400mW
• Напряжение стабилизации: 13V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 30 Ohms

• Производитель: NXP Semiconductors
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 200°C
• Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
• Тип корпуса: DO-41
• Прямое напряжение: 1V @ 50mA
• Ток утечки: 50nA @ 33V
• Допуск: ±5%
• Мощность - Макс.: 1.3W
• Напряжение стабилизации: 47V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 100 Ohms

• Производитель: NXP Semiconductors
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 200°C
• Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
• Тип корпуса: LLDS; MiniMelf
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 50nA @ 52.5V
• Допуск: ±5%
• Мощность - Макс.: 500mW
• Напряжение стабилизации: 75V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 255 Ohms

• Производитель: NXP Semiconductors
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 200°C
• Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
• Тип корпуса: ALF2
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 50µA @ 1V
• Допуск: ±5%
• Мощность - Макс.: 400mW
• Напряжение стабилизации: 2.4V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 100 Ohms

• Производитель: NXP Semiconductors
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 200°C
• Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
• Тип корпуса: ALF2
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 50nA @ 39.2V
• Допуск: ±5%
• Мощность - Макс.: 400mW
• Напряжение стабилизации: 56V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 200 Ohms

• Производитель: NXP Semiconductors
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 200°C
• Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
• Тип корпуса: ALF2
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 50nA @ 12.6V
• Допуск: ±5%
• Мощность - Макс.: 400mW
• Напряжение стабилизации: 18V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 45 Ohms

• Производитель: NXP Semiconductors
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 200°C
• Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
• Тип корпуса: ALF2
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 2µA @ 2V
• Допуск: ±2%
• Мощность - Макс.: 400mW
• Напряжение стабилизации: 5.1V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 60 Ohms

• Производитель: NXP Semiconductors
• Серия: Automotive, AEC-Q101
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 50nA @ 35.7V
• Допуск: ±2%
• Мощность - Макс.: 250mW
• Напряжение стабилизации: 51V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 180 Ohms

• Производитель: NXP Semiconductors
• Серия: Automotive, AEC-Q101
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
• Package / Case: SC-90, SOD-323F
• Тип корпуса: SOD-323F
• Прямое напряжение: 1.1V @ 100mA
• Ток утечки: 50nA @ 16.8V
• Допуск: ±5%
• Мощность - Макс.: 550mW
• Напряжение стабилизации: 24V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 30 Ohms