• Производитель: Microchip Technology
• Серия: GC15000
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 4.1pF @ 20V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Коэфициент емкости: 13
• Параметры коэфициента емкости: C0/C20
• Добротность @ Vr, F: 500 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 0.4pF @ 20V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Коэфициент емкости: 13
• Параметры коэфициента емкости: C0/C20
• Добротность @ Vr, F: 900 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 2.3pF @ 20V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Коэфициент емкости: 5.4
• Параметры коэфициента емкости: C3/C20
• Добротность @ Vr, F: 350 @ 3V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 2.2pF @ 4V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Коэфициент емкости: 10.2
• Параметры коэфициента емкости: C2/C20
• Добротность @ Vr, F: 3000 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 0.6pF @ 6V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 15V

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 1pF @ 4V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 30V
• Коэфициент емкости: 1.55
• Параметры коэфициента емкости: C4/C30
• Добротность @ Vr, F: 3800 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 0.7pF @ 4V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Коэфициент емкости: 6.5
• Параметры коэфициента емкости: C2/C20
• Добротность @ Vr, F: 4000 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 6.8pF @ 20V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Коэфициент емкости: 13
• Параметры коэфициента емкости: C0/C20
• Добротность @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 0.4pF @ 6V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 15V

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Коэфициент емкости: 13.1
• Параметры коэфициента емкости: C2/C20
• Добротность @ Vr, F: 1500 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Серия: GC15000
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 1.3pF @ 20V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Коэфициент емкости: 8
• Параметры коэфициента емкости: C0/C15
• Добротность @ Vr, F: 1100 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 2.3pF @ 20V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Коэфициент емкости: 5.1
• Параметры коэфициента емкости: C4/C20
• Добротность @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz

• Производитель: MACOM Technology Solutions
• Серия: MGV
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 0.77pF @ 4V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Коэфициент емкости: 10
• Параметры коэфициента емкости: C2/C20
• Добротность @ Vr, F: 4000 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Серия: GC15000
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 0.55pF @ 20V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Коэфициент емкости: 8
• Параметры коэфициента емкости: C0/C15
• Добротность @ Vr, F: 1200 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 6.8pF @ 4V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Коэфициент емкости: 12.6
• Параметры коэфициента емкости: C2/C20
• Добротность @ Vr, F: 1500 @ 4V, 50MHz