• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 1.5pF @ 4V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 30V
• Коэфициент емкости: 4.3
• Параметры коэфициента емкости: C0/C30
• Добротность @ Vr, F: 5000 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 0.3pF @ 4V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 30V
• Коэфициент емкости: 2.8
• Параметры коэфициента емкости: C0/C30
• Добротность @ Vr, F: 8000 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 0.9pF @ 20V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Коэфициент емкости: 13
• Параметры коэфициента емкости: C0/C20
• Добротность @ Vr, F: 800 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 2.2pF @ 4V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 15V
• Коэфициент емкости: 7.4
• Параметры коэфициента емкости: C2/C12
• Добротность @ Vr, F: 1800 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Серия: GC15000
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 0.3pF @ 20V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Коэфициент емкости: 8
• Параметры коэфициента емкости: C0/C15
• Добротность @ Vr, F: 1300 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 0.4pF @ 6V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 15V

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 4.7pF @ 4V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 60V
• Коэфициент емкости: 6.5
• Параметры коэфициента емкости: C0/C60
• Добротность @ Vr, F: 1400 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 0.5pF @ 20V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Коэфициент емкости: 4.3
• Параметры коэфициента емкости: C4/C20
• Добротность @ Vr, F: 850 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Коэфициент емкости: 13.1
• Параметры коэфициента емкости: C2/C20
• Добротность @ Vr, F: 1500 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 2pF @ 4V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Коэфициент емкости: 9.9
• Параметры коэфициента емкости: C2/C20
• Добротность @ Vr, F: 3000 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 0.14pF @ 20V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Коэфициент емкости: 13
• Параметры коэфициента емкости: C0/C20
• Добротность @ Vr, F: 1200 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 0.3pF @ 4V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 30V
• Коэфициент емкости: 2.8
• Параметры коэфициента емкости: C0/C30
• Добротность @ Vr, F: 8000 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 5.6pF @ 4V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Коэфициент емкости: 12.3
• Параметры коэфициента емкости: C2/C20
• Добротность @ Vr, F: 1500 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 1pF @ 4V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 15V
• Коэфициент емкости: 5.9
• Параметры коэфициента емкости: C2/C12
• Добротность @ Vr, F: 2500 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Коэфициент емкости: 6
• Параметры коэфициента емкости: C2/C20
• Добротность @ Vr, F: 2500 @ 4V, 50MHz