Найдено: 156
  • GAAS TVAR NON HERMETIC CHIP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 2.2pF @ 4V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 22V
    • Коэфициент емкости: 10.2
    • Параметры коэфициента емкости: C2/C20
    • Добротность @ Vr, F: 3000 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI TVAR NON HERMETIC CHIP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 27pF @ 4V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 60V
    • Коэфициент емкости: 7
    • Параметры коэфициента емкости: C0/C60
    • Добротность @ Vr, F: 900 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GAAS TVAR NON HERMETIC EPSM SMT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 1pF @ 4V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 22V
    • Коэфициент емкости: 7.7
    • Параметры коэфициента емкости: C2/C20
    • Добротность @ Vr, F: 3000 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI TVAR NON HERMETIC CHIP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 2.5pF @ 20V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 22V
    • Добротность @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI TVAR NON HERMETIC EPSM SMT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.2pF @ 20V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 22V
    • Коэфициент емкости: 13
    • Параметры коэфициента емкости: C0/C20
    • Добротность @ Vr, F: 1000 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GAAS TVAR NON HERMETIC EPSM SMT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 3.3pF @ 4V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 22V
    • Коэфициент емкости: 11.3
    • Параметры коэфициента емкости: C2/C20
    • Добротность @ Vr, F: 2000 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI TVAR NON HERMETIC CHIP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: GC15000
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.4pF @ 20V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 22V
    • Коэфициент емкости: 13
    • Параметры коэфициента емкости: C0/C20
    • Добротность @ Vr, F: 900 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GAAS TVAR NON HERMETIC EPSM SMT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.5pF @ 4V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 30V
    • Коэфициент емкости: 3.4
    • Параметры коэфициента емкости: C0/C30
    • Добротность @ Vr, F: 7000 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI TVAR NON HERMETIC CHIP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 5.1pF @ 20V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 22V
    • Коэфициент емкости: 5.9
    • Параметры коэфициента емкости: C3/C20
    • Добротность @ Vr, F: 250 @ 3V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI TVAR NON HERMETIC EPSM SMT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.4pF @ 20V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 22V
    • Коэфициент емкости: 13
    • Параметры коэфициента емкости: C0/C20
    • Добротность @ Vr, F: 900 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI TVAR NON HERMETIC EPSM SMT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.45pF @ 20V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 22V
    • Добротность @ Vr, F: 1200 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI TVAR NON HERMETIC EPSM SMT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.55pF @ 20V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 22V
    • Добротность @ Vr, F: 1000 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GAAS TVAR NON HERMETIC CHIP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.5pF @ 4V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 30V
    • Коэфициент емкости: 3.4
    • Параметры коэфициента емкости: C0/C30
    • Добротность @ Vr, F: 7000 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI TVAR NON HERMETIC CHIP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 22V
    • Коэфициент емкости: 4.3
    • Параметры коэфициента емкости: C4/C20
    • Добротность @ Vr, F: 1000 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI TVAR NON HERMETIC CHIP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: GC15000
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.2pF @ 20V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 22V
    • Коэфициент емкости: 8
    • Параметры коэфициента емкости: C0/C15
    • Добротность @ Vr, F: 1400 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: