• Производитель: Microchip Technology
• Рабочая температура: -65°C ~ 200°C
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 10.6pF @ 10V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 12V
• Коэфициент емкости: 17.5
• Параметры коэфициента емкости: C2/C10
• Добротность @ Vr, F: 130 @ 2V, 10MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 0.6pF @ 6V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 15V

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
• Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 0.5pF @ 4V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 30V
• Коэфициент емкости: 3.4
• Параметры коэфициента емкости: C0/C30
• Добротность @ Vr, F: 7000 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
• Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 9.2pF @ 20V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Коэфициент емкости: 6.3
• Параметры коэфициента емкости: C4/C20
• Добротность @ Vr, F: 165 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 6.8pF @ 20V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Коэфициент емкости: 13
• Параметры коэфициента емкости: C0/C20
• Добротность @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 0.5pF @ 4V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Коэфициент емкости: 5.5
• Параметры коэфициента емкости: C2/C20
• Добротность @ Vr, F: 4000 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 1pF @ 4V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Коэфициент емкости: 7.7
• Параметры коэфициента емкости: C2/C20
• Добротность @ Vr, F: 3000 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
• Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 0.2pF @ 20V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Коэфициент емкости: 8
• Параметры коэфициента емкости: C0/C15
• Добротность @ Vr, F: 1400 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 0.7pF @ 20V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Добротность @ Vr, F: 850 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 6.8pF @ 20V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Коэфициент емкости: 13
• Параметры коэфициента емкости: C0/C20
• Добротность @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 0.6pF @ 4V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 15V
• Коэфициент емкости: 4.2
• Параметры коэфициента емкости: C2/C12
• Добротность @ Vr, F: 4000 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 0.14pF @ 20V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Коэфициент емкости: 13
• Параметры коэфициента емкости: C0/C20
• Добротность @ Vr, F: 1200 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
• Package / Case: 2-SMD, No Lead
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 0.9pF @ 20V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Коэфициент емкости: 13
• Параметры коэфициента емкости: C0/C20
• Добротность @ Vr, F: 800 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Серия: GCX1206
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 2.7pF @ 4V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 30V
• Коэфициент емкости: 3.7
• Параметры коэфициента емкости: C0/C30
• Добротность @ Vr, F: 2500 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Коэфициент емкости: 6
• Параметры коэфициента емкости: C2/C20
• Добротность @ Vr, F: 2500 @ 4V, 50MHz