• Производитель: Microchip Technology
• Серия: GC15000
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 2.4pF @ 20V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Коэфициент емкости: 8
• Параметры коэфициента емкости: C0/C15
• Добротность @ Vr, F: 900 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Stud Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
• Package / Case: Stud
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 2.7pF @ 4V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 30V
• Коэфициент емкости: 3.7
• Параметры коэфициента емкости: C0/C30
• Добротность @ Vr, F: 3300 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 2.7pF @ 0V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Добротность @ Vr, F: 1000 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 2.2pF @ 4V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Коэфициент емкости: 10.2
• Параметры коэфициента емкости: C2/C20
• Добротность @ Vr, F: 3000 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
• Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 2.4pF @ 20V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Коэфициент емкости: 8
• Параметры коэфициента емкости: C0/C15
• Добротность @ Vr, F: 900 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 2.2pF @ 4V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Коэфициент емкости: 5.6
• Параметры коэфициента емкости: C2/C20
• Добротность @ Vr, F: 3000 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 0.7pF @ 20V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Добротность @ Vr, F: 850 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 2.7pF @ 4V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Коэфициент емкости: 10.8
• Параметры коэфициента емкости: C2/C20
• Добротность @ Vr, F: 2000 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Серия: GIGAMITE®
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
• Package / Case: 0805 (2012 Metric)
• Тип корпуса: 0805
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 0.7pF @ 20V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Коэфициент емкости: 3.7
• Параметры коэфициента емкости: C4/C20
• Добротность @ Vr, F: 750 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 2.2pF @ 4V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Коэфициент емкости: 10.2
• Параметры коэфициента емкости: C2/C20
• Добротность @ Vr, F: 3000 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 0.8pF @ 4V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 30V
• Коэфициент емкости: 3.8
• Параметры коэфициента емкости: C0/C30
• Добротность @ Vr, F: 6000 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
• Package / Case: Stud
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 0.4pF @ 0V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 30V
• Коэфициент емкости: 3.1
• Добротность @ Vr, F: 7500 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 1.3pF @ 20V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Добротность @ Vr, F: 600 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 200°C
• Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 5.2pF @ 10V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 12V
• Коэфициент емкости: 17
• Параметры коэфициента емкости: C2/C10
• Добротность @ Vr, F: 140 @ 2V, 10MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 0.14pF @ 20V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Коэфициент емкости: 13
• Параметры коэфициента емкости: C0/C20
• Добротность @ Vr, F: 1200 @ 4V, 50MHz