Найдено: 259
  • GAAS TVAR NON HERMETIC MICROSTRI
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
    • Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 1.5pF @ 4V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 30V
    • Коэфициент емкости: 4.3
    • Параметры коэфициента емкости: C0/C30
    • Добротность @ Vr, F: 5000 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GAAS TVAR HERMETIC PILL
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.5pF @ 4V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 15V
    • Коэфициент емкости: 4.5
    • Параметры коэфициента емкости: C2/C12
    • Добротность @ Vr, F: 3000 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI TVAR NON HERMETIC PLASTIC SMT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI TVAR NON HERMETIC EPSM SMT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 2.5pF @ 20V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 22V
    • Добротность @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI TVAR HERMETIC GLASS AXIAL
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 60V
    • Коэфициент емкости: 7
    • Параметры коэфициента емкости: C0/C60
    • Добротность @ Vr, F: 1200 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI SRD NON HERMETIC EPSM SMT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.6pF @ 6V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 15V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GAAS TVAR NON HERMETIC CHIP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 3.7pF @ 4V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 22V
    • Коэфициент емкости: 11.5
    • Параметры коэфициента емкости: C2/C20
    • Добротность @ Vr, F: 2000 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI TVAR NON HERMETIC CHIP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: GC15000
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 10pF @ 20V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 22V
    • Коэфициент емкости: 13
    • Параметры коэфициента емкости: C0/C20
    • Добротность @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI TVAR NON HERMETIC MICROSTRIP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 1pF @ 4V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 30V
    • Коэфициент емкости: 3.4
    • Параметры коэфициента емкости: C0/C30
    • Добротность @ Vr, F: 3800 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI SRD NON HERMETIC EPSM SMT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.8pF @ 6V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI TVAR NON HERMETIC PLASTIC SMT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: GCX1208
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Тип диода: 1 Pair Common Cathode
    • Емкость @ Vr, F: 3.9pF @ 4V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 30V
    • Коэфициент емкости: 3.9
    • Параметры коэфициента емкости: C0/C30
    • Добротность @ Vr, F: 2500 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI TVAR NON HERMETIC EPSM SMT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.9pF @ 20V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 22V
    • Коэфициент емкости: 13
    • Параметры коэфициента емкости: C0/C20
    • Добротность @ Vr, F: 800 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GAAS TVAR NON HERMETIC CHIP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.4pF @ 4V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 30V
    • Коэфициент емкости: 3.1
    • Параметры коэфициента емкости: C0/C30
    • Добротность @ Vr, F: 7500 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI TVAR NON HERMETIC CHIP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: GC15000
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 2pF @ 20V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 22V
    • Коэфициент емкости: 13
    • Параметры коэфициента емкости: C0/C20
    • Добротность @ Vr, F: 700 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI SRD NON HERMETIC EPSM SMT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.6pF @ 6V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: